[發明專利]一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法

有效

• 申請號: 201010196477.3
• 申請日: 2010-06-10
• 公開（公告）號: CN101894884A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 鄭新和;唐龍娟;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102
• 代理人: 陳忠輝

1.一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法，其特征在于該方法包括步驟：

Ⅰ、對GaN樣品臺面進行第一次刻蝕，形成臺階狀的樣品結構；

Ⅱ、在臺階上方的p區或n區的臺面上制作微結構掩模層并進行第二次臺面刻蝕形成納米柱陣列，同時露出與臺階下方臺面相一致的n區或p區；

Ⅲ、對帶納米柱陣列的GaN樣品旋涂填充物，使之平面化；

Ⅳ、在對應于納米柱陣列的平面化GaN樣品表面制作電流擴展層；

Ⅴ、在電流擴展層表面及臺階下方的n區或p區臺面上沉積金屬，制作n/p電極。

2.根據權利要求1所述的一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述微結構掩模層僅制作于臺階上方的p區或n區的臺面上。

3.根據權利要求1或2所述的一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述微結構掩模層的制作方法至少包括自組裝形成金屬微球及旋涂單層微粒。

4.根據權利要求1所述的一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法，其特征在于：步驟Ⅲ中對GaN樣品填充指的是：采用填充物對納米柱陣列及臺階下方的n區或p區臺面進行填充，并刻蝕掉頂部多余的填充物使之形成一平整面。

5.根據權利要求4所述的一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述填充物包括光刻膠、聚酰亞胺或旋涂玻璃。

6.根據權利要求1所述的一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法，其特征在于：步驟Ⅳ中所述電流擴展層包括銦錫氧化物或金屬。

7.根據權利要求1所述的一種Ⅲ族氮化物納米陣列結構太陽能電池的制作方法，其特征在于：所述制作方法針對應用于具有垂直pn結或np結且為同側電極的太陽能電池。