[發明專利]太陽電池及其制造方法無效
| 申請號： | 201010196454.2 | 申請日： | 2010-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN101908565A | 公開（公告）日： | 2010-12-08 |
| 發明（設計）人： | 傅田敦;齋藤廣美 | 申請（專利權）人： | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/042 | 分類號： | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人： | 陳海紅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 太陽電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽電池，其特征在于，具備：
基板，
形成于前述基板上的下部電極層，
形成于前述下部電極層上的半導體層，和
形成于前述半導體層上的上部電極層；
前述下部電極層包括第1下部電極層和第2下部電極層；
前述第1下部電極層，與前述第2下部電極層相比，以電阻率低的材料所構成。
2.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于：
前述第1下部電極層通過銀或以銀為主成分的化合物形成于前述基板上；
前述第2下部電極層通過鉬形成于前述第1下部電極層上。
3.根據權利要求1或2所述的太陽電池，其特征在于：
前述第1下部電極層具有凹凸部。
4.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于：
前述第1下部電極層為形成于前述基板上的、以銀或碳為主成分的納米線層；
前述第2下部電極層通過鉬形成于前述第1下部電極層上。
5.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于：
前述基板為具有透明性的基板；
前述第1下部電極層通過銀或以銀為主成分的化合物且按格子狀或線狀形成于前述基板上；
前述第2下部電極層為形成于前述第1下部電極層上及前述基板上的具有透明性的導電體。
6.根據權利要求1所述的太陽電池，其特征在于：
前述基板為具有透明性的基板；
前述第1下部電極層為形成于前述基板上的、以銀或碳為主成分的納米線層；
前述第2下部電極層為形成于前述第1下部電極層上及前述基板上的具有透明性的導電體。
7.一種太陽電池的制造方法，其特征在于包括以下工序：
在基板上形成下部電極層的下部電極層形成工序，
在前述下部電極層上形成半導體層的半導體層形成工序，和
在前述半導體層上形成上部電極層的上部電極層形成工序；
前述下部電極層形成工序包括在前述基板上形成第1下部電極層的第1下部電極層形成工序、和在前述第1下部電極層上形成第2下部電極層的第2下部電極層形成工序；
在前述第1下部電極層形成工序中，形成電阻率比前述第2下部電極層低的前述第1下部電極層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
