[發(fā)明專(zhuān)利]一種透明電極器件的設(shè)計(jì)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010196306.0
• 申請(qǐng)日: 2010-06-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101894862A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-11-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范愛(ài)民
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 西安能訊微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/43
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/43;H01L21/28
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種新的電極設(shè)計(jì)，基于此電極設(shè)計(jì)器件可以是各種形式的晶體管，其類(lèi)型可以是，但不僅限于：

①高電子遷移率場(chǎng)效應(yīng)晶體管，異質(zhì)結(jié)絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

②金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管或金屬-絕緣層-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

③雙極結(jié)型晶體管；

④其他一些晶體管，比如JFET，IGBT，MESFET等等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管，晶體管的材料可以是，但不僅限于：

①鎵極AlxGayIn1-x-y?N；

②氮極AlxGayIn1-x-y?N；

③鎵極和氮極的混合體；

④GaN和其他材料的結(jié)合體，比如GaN和GaAs的結(jié)合體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1，2所述的晶體管，柵電極采用透明的材料，其電極結(jié)構(gòu)可以是單層結(jié)構(gòu)，也可以是多層結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單層結(jié)構(gòu)，采用透明導(dǎo)電薄膜作為透明電極材料，如銦錫氧化物、氧化鋅、碳納米管導(dǎo)電涂料、本征導(dǎo)電聚合物等。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多層結(jié)構(gòu)，其透明電極可以是金屬/透明導(dǎo)電薄膜、絕緣體/透明導(dǎo)電薄膜、半導(dǎo)體/透明導(dǎo)電薄膜，或者是透明導(dǎo)電薄膜和金屬、絕緣體、半導(dǎo)體的任意組合。上述任意組合形式可以是金屬/半導(dǎo)體/絕緣體的任意層數(shù)、任意結(jié)構(gòu)的組合。上述金屬厚度以低于10nm為優(yōu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明電極，其金屬材料為高功函數(shù)的金屬如鎳金屬。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明電極，其絕緣體材料為透明絕緣材料，如氮化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的透明電極，其半導(dǎo)體材料為透明半導(dǎo)體材料如氧化鋅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8所述的晶體管，源極和漏極可以采用透明電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管，源極和漏極的透明電極采用透明導(dǎo)電薄膜材料，如銦錫氧化物、氧化鋅、碳納米管導(dǎo)電涂料、本征導(dǎo)電聚合物等。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶體管，源極和漏極的透明電極結(jié)構(gòu)可以是透明導(dǎo)電薄膜、單種金屬/透明導(dǎo)電薄膜和多種金屬/透明導(dǎo)電薄膜。上述金屬厚度以低于10nm為優(yōu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶體管，其金屬材料為低功函數(shù)的金屬如鈦、鋁。