[發明專利]異質掩埋激光器的制作方法有效
| 申請號： | 201010196147.4 | 申請日： | 2010-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN101888060A | 公開（公告）日： | 2010-11-17 |
| 發明（設計）人： | 王寶軍;朱洪亮;趙玲娟;王圩;潘教青;陳娓兮;梁松;邊靜;安心;王偉 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | H01S5/227 | 分類號： | H01S5/227;H01S5/323 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 掩埋 激光器 制作方法 | ||
1.一種異質掩埋激光器的制作方法，包括如下步驟：
步驟1：在襯底上生長有源層，作為激光器件的發射區；
步驟2：在有源層的表面生長SiO2層，在刻蝕及MOCVD生長過程中起保護作用；
步驟3：光刻，在SiO2層表面的兩側，將SiO2層和有源層刻蝕掉，使中間形成微米級脊型臺面，光刻后的有源層成為激光器件的發射區；
步驟4：用MOCVD技術，在脊型臺面的兩側依次生長本征InP層、反向P-InP結電流限制層和N-InP結電流限制層，使脊型臺面上形成溝道；
步驟5：去掉脊型臺面表面上的SiO2層；
步驟6：用MOCVD技術，在溝道內、去掉SiO2層的脊型臺面上及N-InP結電流限制層的表面生長P-InP電流注入層，完成器件的制作。
2.根據權利要求1所述的異質掩埋激光器的制作方法，其中步驟2所述的在有源層表面生長SiO2層是采用PECVD設備生長，SiO2層的厚度為90-110nm。
3.根據權利要求1所述的異質掩埋激光器的制作方法，其中步驟3所述刻蝕出的脊型臺面的寬度為1.5um-2.0um；脊型臺面的刻蝕深度到達襯底內，距離為1um以內。
4.根據權利要求1所述的異質掩埋激光器的制作方法，其中步驟3光刻中還包括一腐蝕的步驟，其是采用飽和嗅水零度腐蝕15s。
5.根據權利要求1所述的異質掩埋激光器的制作方法，其中步驟4所述的本征InP層的厚度為0.8um-1.0um；P-InP層50的厚度為0.8um-1.0um；N-InP層60的厚度為0.8um-1.0um。
6.根據權利要求1所述的異質掩埋激光器的制作方法，其中步驟6中的P-InP電流注入層的厚度為2-3um。
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