[發明專利]一種具有較高載流子傳輸特性的TFT基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201010195770.8
• 申請日: 2010-06-09
• 公開（公告）號: CN101859800A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 劉萍
• 申請（專利權）人: 深圳丹邦投資集團有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/16;H01L21/336;H01L21/205
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種具有較高載流子傳輸特性的TFT基板，包括玻璃基板(1)、非晶硅薄膜(2)，其特征在于：在所述非晶硅薄膜(2)中摻雜有非線性電阻材料。

2.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于：所述非線性電阻材料是下述材料的一種或多種：CdS、CdSe、CdTe。

3.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于：所述非線性電阻材料的摻雜濃度按重量百分比是：1％-2％。

4.一種具有較高載流子傳輸特性的TFT基板的制備方法，其特征是包括如下步驟：

A、將清洗干凈的玻璃基板放入PECVD的基板座上，對系統抽真空，對玻璃基板進行加熱；

B、將硅烷、硫化氫、非線性電阻材料的分別通過多路氣體接入裝置送入PECVD反應腔體內，根據摻雜的比例要求調節氣體的流量，開啟反應室電源使各路氣體在反應腔體中產生輝光放電，使摻雜的非晶硅薄膜就在玻璃基板上均勻的生長到所需的厚度。

5.如權利要求4所述的具有較高載流子傳輸特性的TFT基板的制備方法，其特征是：步驟A中所述玻璃基板的溫度達到200℃左右。

6.如權利要求4或5所述的具有較高載流子傳輸特性的TFT基板的制備方法，其特征是：步驟B中所述非線性電阻材料是下述材料的一種或多種：CdS、CdSe、CdTe。

7.如權利要求4或5所述的具有較高載流子傳輸特性的TFT基板的制備方法，其特征是：步驟B中所述非線性電阻材料的摻雜濃度按重量百分比是：1％-2％。