[發明專利]一種利用電子束輻射改性芯片的方法

有效

• 申請號: 201010195575.5
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN101894746A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 施惠棟;沈軍渭;孫創成
• 申請（專利權）人: 寧波超能科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/263
• 分類號: H01L21/263;H01L21/66
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張妍

1.一種利用電子束輻射改性芯片的方法，其特征在于，該方法包含以下步驟：

步驟1按不同芯片的開關時間t_s分類芯片；

步驟2選擇輻射改性的輻射劑量D；

步驟3調整電子加速器參數；

所述電子加速器包含低能電子加速器、中能電子加速器和高能電子加速器；

所述低能電子加速器的能量為0.15至0.5MeV；中能電子加速器的能量為0.5至5MeV；高能電子加速器的能量為5至10MeV；

步驟4根據輻射劑量D與傳送帶的傳送速度的關系，調節傳送帶的傳送速度以調節輻射劑量D；

步驟5電子加速器對芯片進行批量輻射，使開關時間t_s控制在芯片制造工藝范圍內，控制精度在±0.5μs范圍內、放大倍數h_FE下降在10％范圍內，以及擊穿電壓BV_CBO下降在5％范圍內；

步驟6對經輻射后的芯片進行抽樣檢測，判斷芯片的電氣參數是否合格，若是，則跳轉至步驟7，若否，則跳轉至步驟2；

步驟7對芯片進行退火處理，以穩定芯片改性后的電氣參數。

2.如權利要求1所述的利用電子束輻射改性芯片的方法，其特征在于，所述步驟2還包含以下步驟：

步驟2.1計算芯片輻射前的原開關時間t_s0和輻射后所要求達到的開關時間t_s之差Δt＝t_s-t_s0；

步驟2.2開關時間差Δt每增加0.3μs，輻射劑量D相應增加0.1KGy。

3.如權利要求1所述的利用電子束輻射改性芯片的方法，其特征在于，所述步驟4之前還包含以下步驟：

測定輻射劑量D與傳送帶的傳送速度的關系。

4.如權利要求1所述的利用電子束輻射改性芯片的方法，其特征在于，所述步驟7之后還包含以下步驟：

對完成退火工序的芯片進行抽樣檢測，判斷芯片參數是否合格，若是，則包裝出廠，若否，則跳轉到步驟2。

5.如權利要求1所述的利用電子束輻射改性芯片的方法，其特征在于，所述步驟2中的輻射劑量選取在0.1至2.5KGy之間。

6.如權利要求1所述的利用電子束輻射改性芯片的方法，其特征在于，所述步驟7中退火處理的退火溫度為260～320℃。