[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010194536.3
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN102157473A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發明（設計）人: 郭庭豪;陳承先;蕭景文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60;H01L23/488;H01L21/48
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導體裝置，包括：

一基材，包含一第一導電層；

一柱體，電性連接至該第一導電層，且該柱體具有一非平坦表面；以及

一焊料，位于該柱體上并電性接觸該第一導電層。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該非平坦表面至少包含有一凸面、一凹面以及一波浪狀。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，還包含一蓋層介于該柱體及該焊料之間，其中該蓋層由鎳、鉑、金或銀所組成。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，還包含一金屬間化合物層介于該柱體及該焊料之間，該金屬間化合物層的厚度小于該柱體的粗糙高度。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該非平坦表面最高點至最低點的距離為該柱體寬度的約6％。

6.一種半導體裝置的制造方法，包含：

提供一基材，其具有一接點；

形成一鈍化層于該基材上，且暴露至少一部分的接點；以及

形成一導電柱體與該接點電性接觸，該導電柱體具有一非平坦上表面。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中該非平坦上表面的最高點至最低點的距離為該導電柱體寬度的約6％。

8.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，還包含一金屬間化合物層位于該導電柱體上，其中該非平坦上表面的最高點至最低點的距離大于該金屬間化合物層的厚度。

9.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，還包含形成一蓋層于該導電柱體上，其中該蓋層由鎳、鉑、金或銀所組成。

10.如權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，還包含形成一焊料于該蓋層上。