[發(fā)明專利]制造非易失性存儲器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010194469.5
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN101908509A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設計）人: 黃善玨
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/285
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;黃啟行

1.一種制造非易失性存儲器件的方法，所述方法包括以下步驟：

提供具有有源區(qū)和隔離區(qū)的半導體襯底，其中在每個所述有源區(qū)之上形成有柵絕緣層和浮置柵，并在各個所述隔離區(qū)中形成有隔離層；

在所述浮置柵和所述隔離層的各自的表面上形成電介質(zhì)層；

通過使用氮源氣體、硅源氣體和摻雜氣體的多晶硅沉積工藝，在所述電介質(zhì)層之上形成多晶硅層；以及

將所述多晶硅層圖案化，以形成控制柵。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述電介質(zhì)層和進行所述多晶硅沉積工藝是在原位進行的。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述氮源氣體選自NH₃氣、N₂O氣和NO氣；

所述硅源氣體選自SiH₄氣、Si₂H₆氣和Si₃H₈氣，以及

所述摻雜氣體包括PH₃氣。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過在范圍為10托至60托的壓強和范圍為500℃至900℃的溫度下，以0.1sccm至5.0sccm的流量提供所述氮源氣體、以10sccm至500sccm的流量提供所述硅源氣體、并以10sccm至500sccm的流量提供所述摻雜氣體，來進行所述多晶硅沉積工藝。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電介質(zhì)層具有由氧化物層、氮化物層和氧化物層構(gòu)成的ONO層疊結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：在形成所述電介質(zhì)層之后，通過使用所述氮源氣體的熱氮化工藝對所述電介質(zhì)層的表面進行氮化。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述氮源氣體選自NH₃氣、N₂O氣和NO氣。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，通過在范圍為10托至60托的壓強和范圍為500℃至900℃的溫度下，以0.1sccm至5.0sccm的流量提供所述氮源氣體10秒至1000秒，來進行所述熱氮化工藝。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，形成所述電介質(zhì)層、進行所述熱氮化工藝和進行所述多晶硅沉積工藝是在原位進行的。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：在進行所述多晶硅沉積工藝之前，使用所述氮源氣體和所述硅源氣體在所述電介質(zhì)層的表面上形成硅晶種層。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述電介質(zhì)層、形成所述硅晶種層和進行所述多晶硅沉積工藝是在原位進行的。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述氮源氣體選自NH₃氣、N₂O氣和NO氣，以及

所述硅源氣體選自SiH₄氣、Si₂H₆氣和Si₃H₈氣。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，通過在范圍為500℃至900℃的溫度和范圍為10托至60托的壓強下，以0.1sccm至5.0sccm的流量提供所述氮源氣體、并以1sccm至100sccm的流量提供所述硅源氣體，來形成所述硅晶種層。

14.一種制造非易失性存儲器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體襯底中形成隔離層；

在包括所述隔離層的所述半導體襯底之上順序地形成柵絕緣層、電荷陷阱層和電荷截止層；

通過使用氮源氣體的熱氮化工藝，對所述電荷截止層的表面進行氮化；

通過使用所述氮源氣體、硅源氣體和摻雜氣體的多晶硅沉積工藝，在經(jīng)氮化的所述電荷截止層之上形成多晶硅層；以及

對所述多晶硅層進行圖案化，以形成控制柵。