[發明專利]半導體激光裝置有效
| 申請號： | 201010194130.5 | 申請日： | 2010-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN101902012A | 公開（公告）日： | 2010-12-01 |
| 發明（設計）人： | 曾我部隆一 | 申請（專利權）人： | 夏普株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/028 | 分類號： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 激光 裝置 | ||
1.一種半導體激光裝置，包括：
半導體激光器芯片，具有發射面和反射面，所述發射面和所述反射面是諧振器的相對的端面；以及
光電二極管，用于探測從所述反射面側出射的光，所述光電二極管在所述光電二極管的靈敏度隨波長增長而增高的波長帶中使用，
其中，所述發射面具有形成于所述發射面上的第一電介質多層膜，所述反射面具有形成于所述反射面上的第二電介質多層膜，以及
其中，所述第一電介質多層膜的反射率達到峰值時的波長λf和所述第二電介質多層膜的反射率達到峰值時的波長λr滿足關系λf＜λr。
2.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其中
所述半導體激光器芯片的振蕩波長λ1滿足關系λ1-20nm＜λf＜λ1＜λr＜λ1+20nm。
3.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其中
滿足關系λr-λf＝20nm。
4.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其中
從所述發射面出射的光的功率Pf和從所述反射面出射的光的功率Pr的功率比Pr/Pf隨波長的增長而減小。
5.如權利要求4所述的半導體激光裝置，其中
所述光電二極管的靈敏度表示為α，Pr/Pf×α在所述半導體激光器芯片的振蕩波長λ1處達到極值。
6.如權利要求1所述的半導體激光裝置，
其中，所述第一電介質多層膜包括第三膜和第四膜；以及
其中，所述第三膜的折射率n3、所述第三膜的物理膜厚d3、所述第四膜的折射率n4、所述第四膜的物理膜厚d4和所述半導體激光器芯片的振蕩波長λ1滿足關系n3＜n4、d3＝λ1/4n3以及d4＝λ1/4n4，并且所述第一電介質多層膜具有10％至50％的反射率。
7.如權利要求6所述的半導體激光裝置，其中
所述第三膜由SiO2形成，所述第四膜由選自由Al2O3、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Nb2O5和Si3N4構成的組中的一種形成。
8.如權利要求1所述的半導體激光裝置，
其中，所述第二電介質多層膜包括第七膜和第八膜；以及
其中，所述第七膜的折射率n7、所述第七膜的物理膜厚d7、所述第八膜的折射率n8、所述第八膜的物理膜厚d8和所述半導體激光器芯片的振蕩波長λ1滿足關系n7＜n8、d7＝λ1/4n7以及d8＝λ1/4n8，并且所述第二電介質多層膜具有80％以上的反射率。
9.如權利要求8所述的半導體激光裝置，其中
所述第七膜由SiO2形成，所述第八膜由選自由Al2O3、Ta2O5、TiO2、ZrO2、Nb2O5和Si3N4構成的組中的一種形成。
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