[發(fā)明專利]固態(tài)影像拾取元件、其制造方法以及使用其的電子設(shè)備

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010193928.8
• 申請(qǐng)日: 2010-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN101908550A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 東宮祥哲;田淵清隆;志賀康幸;杉浦巖;宮下直幸;巖崎正則;國(guó)分勝則;山崎知洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N5/335;H04N3/15
• 代理公司: 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258
• 代理人: 王安武;南霆

1.一種固態(tài)影像拾取元件，包括：

半導(dǎo)體襯底；

像素部分，形成在半導(dǎo)體襯底上以及布置每個(gè)具有光電轉(zhuǎn)換部分的多個(gè)像素的；

絕緣層，形成在所述半導(dǎo)體襯底上，以覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換部分；

孔部分，形成在所述絕緣層中及所述光電轉(zhuǎn)換部分上方；

氮化硅層，形成以覆蓋所述孔部分的底表面和側(cè)表面；以及

埋設(shè)層，形成在所述氮化硅層上，

其中，所述氮化硅層被形成以包含通過(guò)利用原子層沉積方法所形成的氮化硅。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)影像拾取元件，其中，所述埋設(shè)層是高折射率樹脂層。

3.一種固態(tài)影像拾取元件的制造方法，包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底的像素部分中形成光電轉(zhuǎn)換部分；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成絕緣層，以覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換部分；

在所述絕緣層中及所述光電轉(zhuǎn)換部分上方形成孔部分；以及

在所述孔部分中形成氮化硅層，

其中，利用原子層沉積方法形成所述氮化硅層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)影像拾取元件的制造方法，其中，通過(guò)將利用原子層沉積方法形成氮化硅層的處理與利用等離子體沉積方法形成氮化硅層的處理彼此結(jié)合，形成所述氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)影像拾取元件的制造方法，還包括以下步驟：

在形成所述氮化硅層之后，在所述氮化硅層上形成由高折射率樹脂形成的埋設(shè)層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的固態(tài)影像拾取元件的制造方法，還包括以下步驟：

利用低壓化學(xué)氣相沉積方法，在所述光電轉(zhuǎn)換部分上形成氮化硅層；

其中，在形成孔部分的步驟中，利用低壓化學(xué)氣相沉積方法，將所述孔部分形成到所述氮化硅層。

7.一種電子設(shè)備，包括：

固態(tài)影像拾取元件，包括：半導(dǎo)體襯底；像素部分，形成在半導(dǎo)體襯底上以及布置每個(gè)具有光電轉(zhuǎn)換部分的多個(gè)像素；絕緣層，形成在所述半導(dǎo)體襯底上，以覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換部分；孔部分，形成在所述絕緣層中及所述光電轉(zhuǎn)換部分上方；氮化硅層，形成以覆蓋所述孔部分的底表面和側(cè)表面；以及埋設(shè)層，形成在所述氮化硅層上，其中，所述氮化硅層被形成以包含通過(guò)利用原子層沉積方法所形成的氮化硅；

光學(xué)系統(tǒng)，用于將入射光導(dǎo)引到所述固態(tài)影像拾取元件的影像拾取部分；以及

信號(hào)處理電路，處理來(lái)自所述固態(tài)影像拾取元件的輸出信號(hào)。