[發(fā)明專利]生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010193354.4
• 申請(qǐng)日: 2010-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN101930909A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·施萬(wàn)德納
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 硅電子股份公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L21/306;B28D5/00;B24B37/04
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.一種生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片的方法，其包含：

a)通過將硅棒切割成晶片提供半導(dǎo)體晶片，

b)使半導(dǎo)體晶片的邊緣圓整，從而使半導(dǎo)體晶片包括在正面和背面上的平面，以及在邊緣區(qū)域中的圓整傾斜表面，

c)拋光半導(dǎo)體晶片的正面和背面，正面拋光包含使用不含固定在拋光墊上的磨料的拋光墊的化學(xué)-機(jī)械拋光；半導(dǎo)體晶片的背面拋光進(jìn)行三步，每種情況下使用含有結(jié)合在拋光墊上的磨料物質(zhì)的拋光墊，并用拋光壓力壓在半導(dǎo)體晶片的背面上，在第一步中將不含固體的拋光劑引入到拋光墊和半導(dǎo)體晶片的背面之間，而在第二和第三步驟中引入含有磨料物質(zhì)的拋光劑，在第一步和第二步中使用8-15psi的拋光壓，在第三步中拋光壓降至0.5-5psi。

2.權(quán)利要求1的方法，其還包含：

d)外延涂布半導(dǎo)體晶片的正面。

3.權(quán)利1或2的方法，其中在背面拋光半導(dǎo)體晶片的第一步中的拋光劑溶液含有去離子水(DIW)。

4.權(quán)利要求3的方法，其中拋光劑溶液含有化合物，如碳酸鈉(Na₂CO₃)、碳酸鉀(K₂CO₃)、氫氧化鈉(NaOH)、氫氧化鉀(KOH)、氫氧化銨(NH₄OH)、四甲基氫氧化銨(TMAH)或其任何混合物。

5.權(quán)利要求4的方法，其中拋光劑溶液的pH為10-12，所述化合物在拋光劑溶液中的比例為0.01-10重量％。

6.權(quán)利要求1或2的方法，其中在第二拋光步驟中的拋光劑懸浮液含有一種或多種元素鋁、鈰或硅的氧化物的顆粒。

7.權(quán)利要求6的方法，其中拋光劑懸浮液是膠體分散二氧化硅。

8.權(quán)利要求1-7之一的方法，其中拋光墊含有固定磨料物質(zhì)，所述磨料物質(zhì)為元素鈰、鋁、硅和鋯的氧化物的顆粒形式，或選自諸如碳化硅、氮化硼和金剛石的硬質(zhì)物質(zhì)的顆粒形式。

9.權(quán)利要求8的方法，其中結(jié)合在拋光墊中的磨料物質(zhì)的粒徑大于等于0.1μm并小于等于1.0μm。

10.通過權(quán)利要求1的方法生產(chǎn)的半導(dǎo)體晶片，其具有拋光過的正面、拋光過的背面以及圓整和拋光過的邊緣，其包含在正面和背面上的平面，以及在邊緣區(qū)域中的傾斜圓整表面，其在正面的平面上的平均表面粗糙度R_a為0.05-0.2nm，在背面的平面上的平均表面粗糙度R_a為0.3-4.5nm，兩者都根據(jù)空間波長(zhǎng)表示為小于等于250μm。

11.權(quán)利要求10的半導(dǎo)體晶片，其中正面和背面上的圓整表面的平均表面粗糙度R_a為0.5-2nm。

12.通過權(quán)利要求2的方法產(chǎn)生的半導(dǎo)體晶片，其具有拋光過和外延涂布的正面、拋光過的背面以及圓整和拋光過的邊緣，其包含在正面和背面上的平面，以及在邊緣區(qū)域中的傾斜圓整表面，其在外延涂布的正面的平面上的平均表面粗糙度R_a為0.05-0.2nm，在背面的平面上的平均表面粗糙度R_a為0.3-4.5nm，兩者都根據(jù)空間波長(zhǎng)表示為小于等于250μm。

13.權(quán)利要求12的半導(dǎo)體晶片，其在正面的傾斜和圓整表面上具有0.5-6nm的平均表面粗糙度R_a，并在背面的傾斜和圓整表面上具有0.5-2nm的平均表面粗糙度R_a。