[發明專利]溝槽型VMOS晶體管制作方法無效
| 申請號： | 201010192843.8 | 申請日： | 2010-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN102263031A | 公開（公告）日： | 2011-11-30 |
| 發明（設計）人： | 葉康;彭樹根;李樂 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 vmos 晶體管 制作方法 | ||
1.一種溝槽型VMOS晶體管制作方法，所述方法包括：提供形成有外延層的半導體襯底，所述外延層內具有溝槽，所述溝槽內形成有柵極，位于所述柵極兩側的外延層內形成有源極；
在所述外延層上方形成覆蓋柵極的層間介質層，所述層間介質層和外延層內形成有接觸孔，所述接觸孔與源極相鄰；
在層間介質層上形成金屬互連層，且所述金屬互連層填充滿接觸孔；
其特征在于，在所述形成金屬互連層之前，包括步驟：
利用化學氣相沉積的方法在所述層間介質層、接觸孔的側壁及底部形成第一金屬層；
利用物理氣相沉積的方法在所述第一金屬層上形成第二金屬層，所述第二金屬層與第一金屬層構成所述阻擋金屬層。
2.如權利要求1所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，所述第一金屬層材質為氮化鈦。
3.如權利要求1或2所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，形成第一金屬層的方法是利用氨水和二甲脂氨鈦或者氨水和二乙醇氨鈦進行化學氣相沉積。
4.如權利要求1所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，所述第二金屬層的材質為氮化鈦。
5.如權利要求1或4所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，形成第二金屬層是利用氬氣、氮氣和鈦靶材進行物理氣相沉積。
6.如權利要求1所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，在形成所述阻擋金屬層之前，還包括步驟：在層間介質層、接觸孔的側壁及底部形成接觸金屬層。
7.如權利要求6所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，所述接觸金屬層的材質為鈦。
8.如權利要求1所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，所述第二金屬層厚度大于所述第一金屬層厚度，其中所述第一金屬層厚度范圍為100～150埃，所述第二金屬層厚度范圍為1300～1700埃。
9.如權利要求1所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，所述金屬互連層利用形成第二金屬層的沉積機臺形成。
10.如權利要求1所述的溝槽型VMOS晶體管制作方法，其特征在于，所述金屬互連層的材質為鋁或鋁合金。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
