[發明專利]半導體倒裝芯片封裝及半導體倒裝芯片封裝的形成方法

無效

• 申請號: 201010192832.X
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN102110660A
• 公開（公告）日: 2011-06-29
• 發明（設計）人: 袁從棣
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/16
• 分類號: H01L23/16;H01L23/34;H01L21/50
• 代理公司: 北京市德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種半導體倒裝芯片封裝，包括：

一第一基板，具有一第一表面，以及位于該第一表面相反側的一第二表面；

一半導體芯片，以焊料凸塊安裝于該第一基板的第一表面上；

一導熱固定物，安裝于該第一基板的第一表面上并圍繞該芯片，以定義一空洞區于該導熱固定物與該芯片之間；

一個或多個模塑復合材料，位于該空洞區中；以及

一第二基板，以焊球安裝于該第一基板的第二表面上。

2.如權利要求1所述的半導體倒裝芯片封裝，還包括一底部填充層填充并硬化于該半導體芯片與該第一基板之間的縫隙。

3.如權利要求1所述的半導體倒裝芯片封裝，還包括一散熱器安裝于該導熱固定物上，以密封該導熱固定物之中的半導體芯片。

4.如權利要求3所述的半導體倒裝芯片封裝，還包括一熱界面材料位于該半導體芯片與該散熱器之間。

5.如權利要求1所述的半導體倒裝芯片封裝，其中該模塑復合材料包括環氧樹脂材料、聚酯材料、熱塑性材料、介電材料、金屬、陶瓷、或含硅材料，其中該模塑復合材料的厚度介于約0.5mm至約5mm之間。

6.如權利要求1所述的半導體倒裝芯片封裝，其中該模塑復合材料的熱膨脹系數與該第一基板的熱膨脹系數實質上相同。

7.如權利要求1所述的半導體倒裝芯片封裝，其中該模塑復合材料的熱膨脹系數、該第一基板的熱膨脹系數、與該第一基板的熱膨脹系數實質上相同。

8.如權利要求1所述的半導體倒裝芯片封裝，其中該模塑復合材料于低粘度的狀態下，以射出成型的方式形成于該空洞區中。

9.一種半導體倒裝芯片封裝的形成方法，包括：

提供一第一基板，該第一基板具有一第一表面，以及位于該第一表面相反側的一第二表面；

以焊料凸塊安裝一半導體芯片于該第一基板的第一表面上；

安裝一導熱固定物于該第一基板的第一表面上并圍繞該芯片，以定義一空洞區于該導熱固定物與該芯片之間；

射出低粘度狀態的一模塑復合材料于該空洞區中；

固化該模塑復合材料以硬化該模塑復合材料；

以焊球安裝一第二基板于該第一基板的第二表面上。

10.如權利要求9所述的半導體倒裝芯片封裝的形成方法，還包括安裝一散熱器于該導熱固定物上以密封該導熱固定物之中的半導體芯片。