[發明專利]柵極制造方法

無效

• 申請號: 201010192407.0
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN102270573A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 沈滿華;黃怡;孟曉瑩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種柵極制造方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成柵極介質層和柵極導電層；

在所述柵極導電層上形成圖案化光阻層；

在所述圖案化光阻層表面形成聚合物層，所述圖案化光阻層和聚合物層構成第一掩膜單元；

以所述第一掩膜單元為掩膜，刻蝕所述柵極導電層和柵極介質層；

去除所述第一掩膜單元，以形成柵極。

2.如權利要求1所述的柵極制造方法，其特征在于，所述聚合物層是利用第一表面處理工藝形成的，所述第一表面處理工藝使用的反應氣體為溴化氫。

3.如權利要求2所述的柵極制造方法，其特征在于，所述第一表面處理工藝中，溴化氫的流量為50～500sccm，源功率為200～1500W，偏壓功率為0～200W，腔室壓力為3～10mTorr。

4.如權利要求1所述的柵極制造方法，其特征在于，所述圖案化光阻層的厚度為

5.一種柵極制造方法，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成柵極介質層、柵極導電層和硬掩膜層；

在所述硬掩膜層上形成圖案化光阻層；

在所述圖案化光阻層表面形成聚合物層，所述圖案化光阻層和所述聚合物層構成第一掩膜單元；

以所述第一掩膜單元為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層形成圖案化硬掩膜層；

在所述第一掩膜單元和圖案化硬掩膜層表面形成硬化層，所述第一掩膜單元、圖案化硬掩膜層和所述硬化層構成第二掩膜單元；

以所述第二掩膜單元為掩膜，刻蝕所述柵極導電層和柵極介質層；

去除所述第二掩膜單元，以形成柵極。

6.如權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于，所述聚合物層是利用第一表面處理工藝形成的，所述第一表面處理工藝使用的反應氣體為溴化氫。

7.如權利要求6所述的柵極制造方法，其特征在于，所述第一表面處理工藝中，溴化氫的流量為50～500sccm，源功率為200～1500W，偏壓功率為0～200W，腔室壓力為3～10mTorr。

8.如權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于，所述硬化層是利用第二表面處理工藝形成的，第二表面處理工藝使用的反應氣體為溴化氫和氧氣。

9.如權利要求8所述的柵極制造方法，其特征在于，所述第二表面處理工藝中，溴化氫的流量為50～500sccm，氧氣的流量為5～100sccm，源功率為200～1500W，偏壓功率為0～200W，腔室壓力為3～10mTorr。

10.如權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層包括依次形成在柵極導電層上的第一硬掩膜層、第二硬掩膜層和底部抗反射涂層。

11.如權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于，還包括：在形成所述硬掩膜層之前在所述柵極導電層上形成刻蝕停止層，并在形成所述第二掩膜單元后刻蝕未被第二掩膜單元覆蓋的刻蝕停止層。

12.如權利要求5所述的柵極制造方法，其特征在于，所述圖案化光阻層的厚度為