[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 201010192156.6
• 申請日: 2010-06-04
• 公開（公告）號: CN101859856A
• 公開（公告）日: 2010-10-13
• 發明（設計）人: 朱振東;李群慶;范守善
• 申請（專利權）人: 清華大學;鴻富錦精密工業（深圳）有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管，其包括：

一基底；

一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層依次層疊設置于所述基底的一側，且所述第一半導體層靠近基底設置；

一第一電極與所述第一半導體層電連接；

一第二電極與所述第二半導體層電連接；

其特征在于，進一步包括多個三維納米結構以陣列形式設置于第二半導體層的遠離基底的表面，且所述三維納米結構為階梯狀結構。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述三維納米結構為設置在所述第二半導體層表面的階梯狀凸起結構或階梯狀凹陷結構。

3.如權利要求2所述的發光二極管，其特征在于，所述階梯狀凸起結構或階梯狀凹陷結構的尺度小于等于1000納米。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述三維納米結構為一多層階梯狀圓臺結構。

5.如權利要求4所述的發光二極管，其特征在于，所述三維納米結構包括一第一圓臺以及一設置于該第一圓臺表面的第二圓臺，所述第一圓臺靠近第二半導體層設置，所述第一圓臺的底面直徑大于第二圓臺的底面直徑，所述第一圓臺的側面垂直于第二半導體層的表面，所述第二圓臺的側面垂直于第一圓臺的底面。

6.如權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述第一圓臺與第二圓臺同軸設置且形成一體結構。

7.如權利要求5所述的發光二極管，其特征在于，所述三維納米結構進一步包括一設置于第二圓臺表面的第三圓臺。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述多個三維納米結構按照等間距行列式排布、同心圓環排布或六角形密堆排布的方式設置在第二半導體層表面。

9.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述三維納米結構與第二半導體層形成一體結構。

10.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述相鄰的兩個三維納米結構之間的距離為10納米～1000納米。

11.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，進一步包括多個三維納米結構以陣列形式設置于第一半導體層與基底接觸的表面。

12.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，進一步包括多個三維納米結構以陣列形式設置于基底與第一半導體層接觸的表面。

13.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述以陣列形式設置的多個三維納米結構形成一個單一圖案或多個圖案。

14.一種發光二極管，其包括：

一基底；

一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層依次層疊設置于所述基底的一側，且所述第一半導體層靠近基底設置；

一第一電極與所述第一半導體層電連接；

一第二電極與所述第二半導體層電連接；

其特征在于，進一步包括多個三維納米結構以陣列形式設置于第一半導體層與基底接觸的表面，且所述三維納米結構為階梯狀結構。

15.一種發光二極管，其包括：

一基底；

一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層依次層疊設置于所述基底的一側，且所述第一半導體層靠近基底設置；

一第一電極與所述第一半導體層電連接；

一第二電極與所述第二半導體層電連接；

其特征在于，進一步包括多個三維納米結構以陣列形式設置于基底與第一半導體層接觸的表面，且所述三維納米結構為階梯狀結構。