[發(fā)明專利]一種基于PIN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的短波長(zhǎng)紫外發(fā)光材料的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010191983.3
• 申請(qǐng)日: 2010-05-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101958376A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁會(huì)力;梅增霞;崔秀芝;劉章龍;李俊強(qiáng);杜小龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院物理研究所
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 北京中創(chuàng)陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

1.一種基于PIN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的短波長(zhǎng)紫外發(fā)光材料的制備方法，其特征在于，該方法具體為：

1)通過(guò)丙酮、酒精及去離子水超聲清洗去除p型襯底表面的有機(jī)物，然后導(dǎo)入超高真空制膜系統(tǒng)；

2)在超高真空下，升溫至700～950℃進(jìn)行高溫?zé)崽幚?0～30min，以去除表面吸附的雜質(zhì)，然后降溫至400～800℃，進(jìn)一步利用活性氮等離子體處理10～30min以獲得清潔表面；

3)將襯底降溫至250～0℃，沉積1～5nm厚金屬單晶層，然后利用氧氣或活性氧源對(duì)金屬單晶層進(jìn)行氧化處理5～20min，獲得巖鹽相氧化物單晶層；

4)在400～750℃下，在巖鹽相單晶氧化層上繼續(xù)沉積5～50nm氧化物絕緣層；

5)在400～700℃溫度下，沉積300～1000nm?n型外延層，即可得到高質(zhì)量PIN異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中的p型襯底為p-GaN或者p-AlGaN。

3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述超高真空制膜系統(tǒng)為分子束外延系統(tǒng)。

4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟3)中金屬單晶層為金屬鎂單晶層，利用活性氧源對(duì)金屬鎂單晶層在低于100℃下，進(jìn)行氧化處理5～20min，以獲得巖鹽相MgO單晶層。

5.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟3)中金屬單晶層為金屬鈣單晶層，利用活性氧源對(duì)金屬鈣單晶層在低于100℃下，進(jìn)行氧化處理5～20min，以獲得巖鹽相CaO單晶層。

6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟3)中金屬單晶層為金屬鍶單晶層，利用通氧氣或活性氧源對(duì)金屬鍶薄膜在低于100℃下，進(jìn)行氧化處理5～20min，以獲得巖鹽相SrO單晶層。

7.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟5)中的n型外延層為n-ZnO或者n-MgZnO。