[發明專利]一種基于PIN異質結構的短波長紫外發光材料的制備方法

無效

• 申請號: 201010191983.3
• 申請日: 2010-05-26
• 公開（公告）號: CN101958376A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 梁會力;梅增霞;崔秀芝;劉章龍;李俊強;杜小龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 尹振啟

1.一種基于PIN異質結構的短波長紫外發光材料的制備方法，其特征在于，該方法具體為：

1)通過丙酮、酒精及去離子水超聲清洗去除p型襯底表面的有機物，然后導入超高真空制膜系統；

2)在超高真空下，升溫至700～950℃進行高溫熱處理10～30min，以去除表面吸附的雜質，然后降溫至400～800℃，進一步利用活性氮等離子體處理10～30min以獲得清潔表面；

3)將襯底降溫至250～0℃，沉積1～5nm厚金屬單晶層，然后利用氧氣或活性氧源對金屬單晶層進行氧化處理5～20min，獲得巖鹽相氧化物單晶層；

4)在400～750℃下，在巖鹽相單晶氧化層上繼續沉積5～50nm氧化物絕緣層；

5)在400～700℃溫度下，沉積300～1000nm?n型外延層，即可得到高質量PIN異質結構。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中的p型襯底為p-GaN或者p-AlGaN。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述超高真空制膜系統為分子束外延系統。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟3)中金屬單晶層為金屬鎂單晶層，利用活性氧源對金屬鎂單晶層在低于100℃下，進行氧化處理5～20min，以獲得巖鹽相MgO單晶層。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟3)中金屬單晶層為金屬鈣單晶層，利用活性氧源對金屬鈣單晶層在低于100℃下，進行氧化處理5～20min，以獲得巖鹽相CaO單晶層。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述步驟3)中金屬單晶層為金屬鍶單晶層，利用通氧氣或活性氧源對金屬鍶薄膜在低于100℃下，進行氧化處理5～20min，以獲得巖鹽相SrO單晶層。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟5)中的n型外延層為n-ZnO或者n-MgZnO。