[發明專利]半導體結構及其制造方法

無效

• 申請號: 201010191971.0
• 申請日: 2010-05-26
• 公開（公告）號: CN102263132A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 尹海洲;駱志炯;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種半導體結構，包括

半導體襯底；

外延半導體層，所述外延半導體層位于半導體襯底上方的兩側位置；

柵極，所述柵極位于半導體襯底上方的中間位置并且與外延半導體層相鄰，所述柵極包括柵極導體層和夾在柵極導體層和半導體襯底之間并在側面環繞柵極導體的柵極電介質層；以及

側墻，所述側墻位于外延半導體層上方以及所述柵極的兩側。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中所述半導體襯底為選自IV族半導體襯底、III族-V族半導體襯底、SOI襯底構成的組中的一種。

3.根據權利要求2所述的半導體結構，其中SOI襯底的頂部半導體層與所述外延半導體層由不同蝕刻速率的材料構成。

4.根據權利要求2所述的半導體結構，其中所述SOI襯底的頂部半導體層的厚度不大于15nm。

5.一種制造半導體結構的方法，包括以下步驟：

a)在半導體襯底的頂部形成外延半導體層；

b)在外延半導體層上形成犧牲柵極；

c)在犧牲柵極周圍形成側墻；

d)去除犧牲柵極，形成柵極開口，以暴露外延半導體層的表面；

e)去除外延半導體層從柵極開口暴露的部分；

f)在柵極開口中形成共形的柵極電介質；以及

g)在柵極開口中形成柵極導體。

6.根據權利要求5所述的方法，其中步驟b)包括形成用作犧牲柵極的柵極電介質層和柵極導體層的疊層，然后對其圖案化。

7.根據權利要求5所述的方法，其中步驟c)包括在犧牲柵極的側面和/或頂部形成氮化物隔離層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中在形成氮化物隔離層之后，利用氮化物隔離層作為停止層執行平面化處理，以及利用附加的平面化處理或反應離子蝕刻，以去除氮化物隔離層位于犧牲柵極頂部的部分。

9.根據權利要求5所述的方法，其中步驟c)還包括形成用于保護外延半導體層的層間絕緣層。

10.根據權利要求5所述的方法，其中在步驟c)和d)之間還包括利用犧牲柵極作為硬掩模，向外延半導體中注入離子而形成源/漏區的步驟。

11.根據權利要求5所述的方法，其中在步驟g)之后還包括對源/漏區表面上露出的一部分進行金屬硅化以形成源/漏接觸區的步驟。