[發明專利]RFID標簽的上電復位電路

有效

• 申請號: 201010191459.6
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN102270313A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 彭敏;朱紅衛;杜濤
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 顧繼光

1.一種RFID標簽的上電復位電路，其特征在于，包括上電復位信號產生電路和上電復位信號處理電路，所述上電復位信號產生電路中，始能端連接第一PMOS管和第二NMOS管的柵極，RFID標簽上經過整流穩壓處理后的電源連接第一PMOS管的源極，第一PMOS管和第二NMOS管的漏極經過串聯連接的二極管D1和D2連接到電阻R1的第一端，兩個串聯的二極管D1和D2的電流方向由第一PMOS管的漏極指向電阻R1，所述第一PMOS管的漏極還連接第四、第五和第六PMOS管的源極、第五PMOS管的柵極和電容C2的第一端，電阻R1的第二端連接電容C1的第一端和第三NMOS管的柵極，第四PMOS管的柵極連接電阻R2的第一端，第三NMOS管、第四、第五、第六PMOS管的漏極、電容C2的第二端以及第一非門的輸入端連接在一起，第二、第三NMOS管的源極、電容C1的第二端以及電阻R2的第二端接地，第一非門的輸出端和第六PMOS管的柵極連接在一起，并作為上電復位信號產生電路的輸出端；所述上電復位信號處理電路對所述上電復位信號產生電路輸出的信號進行延時和去毛刺的處理，并將處理后的上電復位信號輸出。

2.根據權利要求1所述的RFID標簽的上電復位電路，其特征在于，所述上電復位信號處理電路的輸入端經過串聯的第二和第三非門連接到一個與非門的一個輸入端，上電復位信號處理電路的輸入端還直接連接到所述與非門的另一個輸入端，所述與非門的輸出端再經過串聯連接的第四和第五非門連接到所述上電復位信號處理電路的輸出端。