[發(fā)明專利]以影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器配置冗余存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010191269.4
• 申請日: 2010-06-02
• 公開（公告）號: CN102270497A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王彬
• 申請（專利權(quán)）人: 王彬
• 主分類號: G11C11/4193
• 分類號: G11C11/4193;G11C16/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種存儲(chǔ)器，包括存儲(chǔ)陣列、對應(yīng)于存儲(chǔ)陣列中的普通行的普通字線、對應(yīng)于存儲(chǔ)陣列中的冗余行的冗余字線、以及行譯碼器，其特征在于，還包括影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器和字線選通管，所述普通字線、冗余字線與存儲(chǔ)陣列之間分別串聯(lián)設(shè)置字線選通管，所述字線選通管用于控制其所在的字線是否選通，所述影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器用于控制所述字線選通管的選通以進(jìn)一步控制該字線選通管所在的字線是否選通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述字線選通管為MOS管，所述影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元用于控制所述字線選通管為MOS管的柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為SRAM、DRAM或者Flash。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器、閃存、磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器之一。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，字線選通管的柵極連接于影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。

6.一種存儲(chǔ)器，包括存儲(chǔ)陣列、對應(yīng)于存儲(chǔ)陣列中的普通行的普通位線、對應(yīng)于存儲(chǔ)陣列中的冗余行的冗余位線、以及行譯碼器，其特征在于，還包括影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器和位線選通管，所述普通位線、冗余位線與存儲(chǔ)陣列之間分別串聯(lián)設(shè)置位線選通管，所述位線選通管用于控制其所在的位線是否選通，所述影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器用于控制所述位線選通管的選通以進(jìn)一步控制該位線選通管所在的位線是否選通。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述位線選通管為MOS管，所述影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器的每個(gè)存儲(chǔ)單元用于控制所述位線選通管為MOS管的柵極。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器為SRAM、DRAM或者Flash。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器為相變存儲(chǔ)器、閃存、磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器、電阻隨機(jī)存儲(chǔ)器之一。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，位線選通管的柵極連接于影子非揮發(fā)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。