[發明專利]以影子非揮發存儲器配置冗余存儲的存儲器

無效

• 申請號: 201010191269.4
• 申請日: 2010-06-02
• 公開（公告）號: CN102270497A
• 公開（公告）日: 2011-12-07
• 發明（設計）人: 王彬
• 申請（專利權）人: 王彬
• 主分類號: G11C11/4193
• 分類號: G11C11/4193;G11C16/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種存儲器，包括存儲陣列、對應于存儲陣列中的普通行的普通字線、對應于存儲陣列中的冗余行的冗余字線、以及行譯碼器，其特征在于，還包括影子非揮發存儲器和字線選通管，所述普通字線、冗余字線與存儲陣列之間分別串聯設置字線選通管，所述字線選通管用于控制其所在的字線是否選通，所述影子非揮發存儲器用于控制所述字線選通管的選通以進一步控制該字線選通管所在的字線是否選通。

2.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述字線選通管為MOS管，所述影子非揮發存儲器的每個存儲單元用于控制所述字線選通管為MOS管的柵極。

3.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器為SRAM、DRAM或者Flash。

4.根據權利要求1所述的存儲器，其特征在于，所述影子非揮發存儲器為相變存儲器、閃存、磁阻隨機存儲器、電阻隨機存儲器之一。

5.根據權利要求2所述的存儲器，其特征在于，字線選通管的柵極連接于影子非揮發存儲器的存儲單元的存儲節點。

6.一種存儲器，包括存儲陣列、對應于存儲陣列中的普通行的普通位線、對應于存儲陣列中的冗余行的冗余位線、以及行譯碼器，其特征在于，還包括影子非揮發存儲器和位線選通管，所述普通位線、冗余位線與存儲陣列之間分別串聯設置位線選通管，所述位線選通管用于控制其所在的位線是否選通，所述影子非揮發存儲器用于控制所述位線選通管的選通以進一步控制該位線選通管所在的位線是否選通。

7.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述位線選通管為MOS管，所述影子非揮發存儲器的每個存儲單元用于控制所述位線選通管為MOS管的柵極。

8.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器為SRAM、DRAM或者Flash。

9.根據權利要求6所述的存儲器，其特征在于，所述影子非揮發存儲器為相變存儲器、閃存、磁阻隨機存儲器、電阻隨機存儲器之一。

10.根據權利要求7所述的存儲器，其特征在于，位線選通管的柵極連接于影子非揮發存儲器的存儲單元的存儲節點。