[發明專利]一種用于薄膜太陽能電池的多層背反射鏡結構無效
| 申請號： | 201010191142.2 | 申請日： | 2010-06-03 |
| 公開（公告）號： | CN102270672A | 公開（公告）日： | 2011-12-07 |
| 發明（設計）人： | 劉成;周麗華;葉曉軍;錢子勍;張翼翔;陳鳴波 | 申請（專利權）人： | 上海空間電源研究所 |
| 主分類號： | H01L31/0232 | 分類號： | H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海航天局專利中心 31107 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 薄膜 太陽能電池 多層 反射 結構 | ||
1.一種用于薄膜太陽能電池的多層背反射鏡結構，其特征在于：包括膜(11)和周期性結構(14)；所述的膜(11)是Ag膜或Al膜；所述的周期性結構(14)，由氧化物導電膜(12)和超薄膜(13)膜組成的雙層結構，和一層氧化物導電膜(17)組成；所述的雙層結構可以重復1-5次。
2.根據權利要求1所述的多層背反射鏡結構，其特征在于：所述的Ag膜或Al膜，厚度為200-1000nm，可用電子束蒸發、磁控濺射或真空熱蒸發方法之一制備。
3.根據權利要求1所述的多層背反射鏡結構，其特征在于：所述的氧化物導電膜，可選自ITO、SnO2:F、ZnO:Al或ZnO:Ga中的一種作為原材料，厚度為100-500nm。
4.根據權利要求3所述的多層背反射鏡結構，其特征在于：所述的氧化物導電膜可由電子束蒸發、磁控濺射或真空熱蒸發方法之一制備。
5.根據權利要求1所述的多層背反射鏡結構，其特征在于：所述的超薄Ag膜或超薄Al膜，厚度為3-20nm，可用電子束蒸發、磁控濺射或真空熱蒸發方法之一制備。
6.一種制備如權利要求1所述的多層背反射鏡結構的方法，其特征在于包括如下步驟：
1)制備Ag膜或Al膜：用電子束蒸發、磁控濺射或真空熱蒸發方法之一，制備200-1000nm厚的Ag膜或Al膜(11)；
2)制備氧化物透明導電膜：在ITO、SnO2:F、ZnO:Al或ZnO:Ga中選擇一種材料，用電子束蒸發、磁控濺射或真空熱蒸發方法之一，在步驟1)所制備的膜上，繼續制備厚度為100-500nm的氧化物透明導電膜(12)；
3)制備超薄Ag膜或Al膜：用電子束蒸發、磁控濺射或真空熱蒸發的方法之一，在步驟2)所制備的膜上，繼續制備厚度為3-20nm的超薄Ag膜或A膜(13)；
4)周期性結構的制備：重復上述2)、3)兩個步驟1-5次，最后再加一層氧化物透明導電膜(17)。?
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
