[發(fā)明專利]一種MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010191134.8 | 申請日： | 2010-06-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101887883A | 公開（公告）日： | 2010-11-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 洪根深;肖志強(qiáng);陳海峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫中微晶園電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/525 | 分類號(hào)： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mtm 反熔絲 單元 結(jié)構(gòu) 及其 制備 方法 | ||
1.一種MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)，包括襯底(100)及位于襯底(100)上的絕緣支撐層(101)；其特征是：所述絕緣支撐層(101)上設(shè)有金屬互連層(109)、反熔絲下極板(110)及氧化層(104)；所述氧化層(104)包覆金屬互連層(109)與反熔絲下極板(110)，所述反熔絲下極板(110)與金屬互連層(109)間利用氧化層(104)相隔離；所述金屬互連層(109)上設(shè)有連接孔(111)，所述連接孔(111)從氧化層(104)的表面延伸到金屬互連層(109)，連接孔(111)內(nèi)填充有金屬電極(108)；反熔絲下極板(110)上設(shè)有反熔絲孔(112)，所述反熔絲孔(112)從氧化層(104)的表面延伸到反熔絲孔(112)；所述反熔絲孔(112)內(nèi)依次填充有高阻介質(zhì)層(106)、反熔絲上極板(107)及金屬電極(108)；所述金屬電極(108)與反熔絲上極板(107)、金屬互連層(109)均電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)，其特征是：所述絕緣支撐層(101)與氧化層(104)均為二氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)，其特征是：所述金屬互連層(109)與反熔絲下極板(110)包括AlSiCu膜層(102)與氮化鈦膜層(103)；所述AlSiCu膜層(102)與氮化鈦膜層(103)依次淀積在絕緣支撐層(101)上，分別形成金屬互連層(109)與反熔絲下極板(110)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)，其特征是：所述高阻介質(zhì)層(106)的材料為二氧化硅或氮化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)，其特征是：所述反熔絲上極板(107)的材料包括氮化鈦。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)，其特征是：所述金屬電極(108)的材料包括鋁。
7.一種MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是，所述制備方法包括如下步驟：
(a)、在襯底(100)上生長絕緣支撐層(101)；
(b)、在所述絕緣支撐層(101)上淀積反熔絲下極板層；
(c)、選擇性的掩蔽和刻蝕反熔絲下極板層，得到位于絕緣支撐層(101)上的金屬互連層(109)與反熔絲下極板(110)；
(d)、在上述絕緣支撐層(101)上淀積氧化層(104)，所述氧化層(104)覆蓋在金屬互連層(109)及反熔絲下極板(110)上；
(e)、在所述氧化層(104)上涂布光刻膠(105)，并去除反熔絲下極板(110)上對應(yīng)的光刻膠(105)；
(f)、利用上述光刻膠(105)，對氧化層(104)進(jìn)行刻蝕，得到位于反熔絲下極板(110)上的反熔絲孔(112)，所述反熔絲孔(112)從氧化層(104)的表面延伸到反熔絲下極板(110)的表面；
(g)、去除氧化層(104)上的光刻膠(105)；
(h)、在所述氧化層(104)上依次淀積高阻介質(zhì)層(106)與反熔絲上極板(107)；
(i)、掩蔽反熔絲孔(112)上的高阻介質(zhì)層(106)與反熔絲上極板(107)，刻蝕對應(yīng)于反熔絲孔(112)外的高阻介質(zhì)層(106)與反熔絲上極板(107)；
(j)、刻蝕所述金屬互連層(109)上相對應(yīng)的氧化層(104)，得到金屬互連層(109)上的連接孔(111)，所述連接孔(111)從氧化層(104)延伸到金屬互連層(109)的表面；
(k)、在上述氧化層(104)上淀積金屬層，并刻蝕所述金屬層，同時(shí)得到位于連接孔(111)與反熔絲孔(112)內(nèi)的金屬電極(108)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是：所述襯底(100)的材料為硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是：在絕緣支撐層(101)上通過PVD依次濺射400nm～800nm的AlSiCu膜層(102)和200～400nm的氮化鈦膜層(103)，得到位于絕緣支撐層(101)上的反熔絲下極板層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述MTM反熔絲單元結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征是：所述步驟(f)中，利用光刻膠(105)，對氧化層(104)進(jìn)行各向同性的干法刻蝕，得到位于反熔絲下極板(110)上的反熔絲孔(112)。
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