[發(fā)明專利]一種硅襯底上制作化合物半導(dǎo)體MMIC芯片的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010191071.6
• 申請日: 2010-06-03
• 公開（公告）號: CN101872744A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周衛(wèi);嚴(yán)利人;竇維治;韓冰;劉志弘
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/306
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 史雙元

1.一種硅襯底化合物半導(dǎo)體MMIC的芯片方法，其特征在于，具體工藝步驟如下：

1)在硅襯底上生長一層氧化硅；

2)在氧化硅層上通過光刻和刻蝕得到一個暴露出硅襯底的窗口；

3)在窗口內(nèi)通過選擇性外延生長過渡層和化合物單晶半導(dǎo)體材料；

4)將化合物單晶半導(dǎo)體材料制作成有源器件，也就是晶體管，并完成第一層金屬的圖形化；

5)生長一層層間介質(zhì)和第二層金屬圖形化；

6)淀積鈍化層，光刻刻蝕壓焊塊窗口；

7)背面光刻并刻蝕；

8)圓片減薄；

其中背面光刻并刻蝕是采用三維對準(zhǔn)光刻技術(shù)，通過干法或濕法刻蝕將背面的圖形與正面相對應(yīng)圖形對準(zhǔn)的技術(shù)，此步驟是在正面所有工藝做完之后，尚未進行圓片減薄之前，正反面圖形的對準(zhǔn)是通過預(yù)先做好的對準(zhǔn)標(biāo)記實現(xiàn)的，其與正面圖形的對準(zhǔn)精度優(yōu)于±2μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種硅襯底化合物半導(dǎo)體MMIC的芯片方法，其特征在于，所述的干法刻蝕采用的是電感耦合等離子體刻蝕方法，濕法刻蝕采用硅材料的常規(guī)堿性腐蝕液，濕法刻蝕前，先將圓片的正面用塑料膠膜或涂覆保護膠的方式保護起來，通過圓片背面的光刻圖形，對硅襯底材料進行刻蝕。