[發(fā)明專(zhuān)利]一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物的裝置及其使用方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010190808.2
• 申請(qǐng)日: 2010-06-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101857201A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周大榮;劉劍;俞建
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海啟元科技發(fā)展有限公司;上海啟元空分技術(shù)發(fā)展有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C01B13/02
• 分類(lèi)號(hào): C01B13/02;C01B23/00
• 代理公司: 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物的裝置，其特征在于，該裝置包括第一級(jí)精餾塔及第二級(jí)精餾塔，所述的第一級(jí)精餾塔內(nèi)設(shè)置數(shù)塊塔板，該第一級(jí)精餾塔塔側(cè)的管道上設(shè)置原料進(jìn)料口，塔頂設(shè)置冷凝蒸發(fā)器，塔釜設(shè)置再沸器，所述的第二級(jí)精餾塔中部與第一級(jí)精餾塔的上部經(jīng)管道連接，該第二級(jí)精餾塔內(nèi)設(shè)置數(shù)塊塔板，塔頂設(shè)置冷凝蒸發(fā)器，塔釜設(shè)置再沸器，塔側(cè)設(shè)置高純氣/液氧抽口，所述的第一級(jí)精餾塔塔釜的再沸器經(jīng)節(jié)流閥與管道與第一級(jí)精餾塔及第二級(jí)精餾塔塔頂?shù)睦淠舭l(fā)器連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物的裝置，其特征在于，所述的原料進(jìn)料口設(shè)在距第一級(jí)精餾塔塔釜的至少一塊塔板的高度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物的裝置，其特征在于，所述的第一級(jí)精餾塔內(nèi)的塔板數(shù)為8～20塊，第二級(jí)精餾塔內(nèi)的塔板數(shù)為40～100塊，優(yōu)選68塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物的裝置，其特征在于，所述的再沸器為電加熱器或氣體蒸發(fā)塔釜液體的換熱器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物的裝置，其特征在于，所述的高純氣/液氧抽口設(shè)在距第二級(jí)精餾塔塔釜2～10塊塔板的高度，優(yōu)選距塔釜5塊塔板的高度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物的裝置，其特征在于，所述的高純氣/液氧抽口設(shè)在第二級(jí)精餾塔塔釜。

7.一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物裝置的使用方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)將原料經(jīng)原料進(jìn)料口導(dǎo)入至第一級(jí)精餾塔中進(jìn)行精餾處理，控制第一級(jí)精餾塔的溫度為-126～-164℃，壓力為1.5～3bar，在塔釜得到氪氙濃縮物，在塔頂?shù)玫饺コ础㈦疤細(xì)浠衔锏难鯕饣蛞貉酰?/p>

(2)塔頂?shù)玫降难鯕饣蛞貉踹M(jìn)入第二級(jí)精餾塔繼續(xù)精餾，控制第二級(jí)精餾塔的溫度為-170～-175℃，壓力為2～5bar，在高純氣/液氧抽口得到高純液氧或高純氣氧，塔頂?shù)玫窖鯕寤旌衔铮?/p>

(3)氮?dú)膺M(jìn)入第一級(jí)精餾塔塔釜再沸器液化成液氮，液氮經(jīng)節(jié)流閥節(jié)流至低壓進(jìn)入第一級(jí)精餾塔及第二級(jí)精餾塔的塔頂冷凝蒸發(fā)器，蒸發(fā)成氣氮，未被蒸發(fā)的液氮作為液氮產(chǎn)品從第一級(jí)精餾塔中輸出。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物裝置的使用方法，其特征在于，所述的原料包括含氪氙混合物的原料液氧或含氪氙混合物且經(jīng)換熱器預(yù)冷至接近飽和狀態(tài)的低溫氣氧，所述的原料液氧為連接空分設(shè)備的工業(yè)液氧或經(jīng)濃縮并脫除甲烷等高沸點(diǎn)組份的液氧。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物裝置的使用方法，其特征在于，所述的氪氙濃縮物中氪氙含量為原料中氪氙含量的3～20倍，優(yōu)選10倍。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種生產(chǎn)高純氧及氪氙濃縮物裝置的使用方法，其特征在于，所述的高純液氧或高純氣氧中氧氣純度達(dá)到99.99v/v％-99.9997v/v％。