[發明專利]高光電效率二氧化鈦光納米管陣列光陽極的制備方法無效
| 申請號： | 201010190390.5 | 申請日： | 2010-06-02 |
| 公開（公告）號： | CN101872682A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發明（設計）人： | 楊峰;蔡芳共;趙勇 | 申請（專利權）人： | 西南交通大學 |
| 主分類號： | H01G9/04 | 分類號： | H01G9/04;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/48 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光電 效率 氧化 納米 陣列 陽極 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.高光電效率二氧化鈦光納米管陣列光陽極的制備方法，利用窄帶半導體對TiO2納米管陣列進行修飾，其特征在于：通過陽極氧化法制得二氧化鈦納米管陣列模板，所得陣列模板經450℃退火3.5小時；再將其依次浸漬于硝酸鉛溶液、去離子水、硫化鈉溶液和去離子水中，所述溶液中鉛和硫摩爾比Pb∶S＝1∶1；循環5-8次，最后經超聲20分鐘處理，得到硫化鉛修飾的二氧化鈦納米管陣列光陽極。
2.根據權利要求1所述之高光電效率二氧化鈦光納米管陣列光陽極的制備方法，其特征在于，所述陽極氧化法，將鈦箔作為陽極，鉑片作為陰極，在含有質量分數為0.25％氟化銨的乙二醇溶液中，在60V恒壓下進行陽極氧化，時間為6小時，得到二氧化鈦納米管陣列。
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