[發(fā)明專利]襯底、垂直結(jié)構(gòu)LED芯片及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010190330.3
• 申請(qǐng)日: 2010-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102024893A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張戈
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/38
• 分類號(hào): H01L33/38
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種發(fā)光二極管的襯底，包括基體，所述基體具有用于生長(zhǎng)發(fā)光二極管的第一面，其特征在于，還包括包覆所述基體的導(dǎo)電包覆層，所述導(dǎo)電包覆層包括圖形化的導(dǎo)電包覆區(qū)，所述導(dǎo)電包覆區(qū)位于所述第一面上并露出部分所述基體。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的襯底，其特征在于，所述導(dǎo)電包覆區(qū)的圖形為若干不相交的線或者網(wǎng)狀圖形。

3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的襯底，其特征在于，所述網(wǎng)狀圖形具有網(wǎng)格眼，所述網(wǎng)格眼的形狀為圓形、橢圓形或者多邊形。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的襯底，其特征在于，所述基體為藍(lán)寶石或者晶體硅。

5.一種發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

A、提供一基體，所述基體具有用于生長(zhǎng)發(fā)光二極管的第一面；

B、將光刻膠涂布于所述第一面，經(jīng)曝光、顯影，在所述第一面形成圖形化的光刻膠層，所述光刻膠層具有若干光刻膠條或者光刻膠塊，所述光刻膠條或者光刻膠塊的側(cè)面與所述第一面成不大于90度的角；

C、在光刻膠層和基體上形成一層具有導(dǎo)電物質(zhì)的中間體；

D、去除光刻膠層，露出第一面上的被光刻膠層覆蓋的基體；

E、進(jìn)行熱處理，使中間體轉(zhuǎn)化成導(dǎo)電包覆層，所述導(dǎo)電包覆層包括一圖形化的導(dǎo)電包覆區(qū)，所述導(dǎo)電包覆區(qū)位于所述第一面上并露出部分所述基體。

6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述光刻膠層的厚度范圍為1.8～3um。

7.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述光刻膠條或者光刻膠塊的側(cè)面與第一面成的角度為20到70度。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述步驟B中所使用的光刻膠為負(fù)膠。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述步驟B進(jìn)一步包括如下步驟：

B1、在所述第一面旋涂負(fù)膠，該旋涂工藝條件為：時(shí)間為35s，轉(zhuǎn)速為30rps～45rps；或者時(shí)間為10s，轉(zhuǎn)速為8rps～11rps；

B2、將涂旋有負(fù)膠的襯底，放入烘烤箱中烘烤12～16分鐘，烘烤箱的溫度控制在85～95度之間；

B3、采用能量為20焦耳的光源，設(shè)置曝光距離為60～250微米和曝光時(shí)間為6～12s，進(jìn)行曝光；

B4、顯影及水洗，所述顯影所用的時(shí)間在50s～70s之間；

B5、將水洗后的帶有負(fù)膠的襯底，放入烘烤箱中烘烤20～30分鐘，烘烤箱的溫度控制在118～122度之間。

10.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述中間體為用溶膠-凝膠法加工得到的凝膠狀的前軀體；所述溶膠-凝膠法中使用有機(jī)溶劑、金屬醇鹽、聚合物，將金屬醇鹽和聚合物溶入有機(jī)溶劑中，并在40～90度的溫度下攪拌形成凝膠狀的前軀體。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑為乙醇、乙二醇、異丙醇和乙腈中一種或者多種，所述聚合物為聚乙烯醇、聚苯胺或聚砒咯。

12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述金屬醇鹽為異丙醇鋁或者異丙醇銀，所述聚合物為聚乙烯醇。

13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，醇、金屬摩爾比為5∶1且所述異丙醇鋁或者異丙醇銀的濃度為0.5～1.4mol/L。

14.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管的襯底的制備方法，其特征在于，所述步驟E中熱處理具體如下：

將基體放入充有保護(hù)氣體退火爐中，保持退火爐中溫度控制在200～400度，時(shí)間控制在1～2小時(shí)；然后，等退火爐中冷卻到室溫時(shí)，將其取出。

15.一種垂直結(jié)構(gòu)LED芯片，包括第一電極、第二電極、襯底和依次形成于所述襯底上的第一類型半導(dǎo)體層、有源層、第二類型半導(dǎo)體層，所述第二電極與所述第二類型半導(dǎo)體層電連接，其特征在于，所述襯底為權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的發(fā)光二極管的襯底，第一類型半導(dǎo)體層位于所述襯底的基體的第一面上，所述第一電極形成于除導(dǎo)電包覆區(qū)的導(dǎo)電包覆層上。