[發明專利]一種使用交流電的發光器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010190052.1
• 申請日: 2010-05-24
• 公開（公告）號: CN101886759A
• 公開（公告）日: 2010-11-17
• 發明（設計）人: 周玉剛;曾照明;賴燃興;姜志榮;許朝軍;王瑞珍;肖國偉
• 申請（專利權）人: 晶科電子(廣州)有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V23/00;H01L25/16;H01L21/60;H02M7/06;F21Y101/02
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100
• 代理人: 羅毅萍;王璽建

1.一種使用交流電的發光器件，其特征在于：包括：

至少一LED芯片；以及

交流驅動電路芯片，其包括一襯底和集成在所述襯底上的整流電路；

所述LED芯片倒裝在所述交流驅動電路芯片的襯底上，并與整流電路電連接，該交流驅動電路芯片將交流電轉換為直流電以提供給所述LED芯片。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述整流電路為橋式整流電路。

3.根據權利要求2所述的發光器件，其特征在于：所述整流電路包括在襯底上形成的第一二極管、第二二極管、第三二極管和第四二極管；一絕緣層覆蓋在襯底的上表面，在各二極管的P、N極對應的絕緣層處具有接觸孔；一第一金屬線層設置在絕緣層的上表面，并通過接觸孔分別與各二極管的P、N極電連接；第一二極管的P極與第四二極管的N極通過第一金屬線層連接至襯底上的一電源連接端，第二二極管的P極與第三二極管的N極通過第一金屬線層連接至襯底上的另一電源連接端；在該第一二極管和第二二極管的N極通過第一金屬線層電連接形成一N型連接端；其該第三二極管和第四二極管的P極通過第一金屬線層電連接形成一P型連接端，所述LED芯片的P極與N型連接端電連接，LED芯片的N極與P型連接端電連接。

4.根據權利要求3所述的發光器件，其特征在于：在所述P型連接端和N型連接端的上表面分別設置有一金屬焊墊，在二電源連接端上表面分別設置有一外接焊墊。

5.根據權利要求4所述的發光器件，其特征在于：在所述金屬焊墊的上表面設置有一凸點焊球，所述LED芯片通過該凸點焊球與所述襯底電連接。

6.根據權利要求3要求所述的發光器件，其特征在于：該發光器件包括一LED芯片，該LED芯片包括多個相互獨立的發光區，每個發光區具有P極和N極，并通過所述LED芯片上的第二金屬線層串聯或并聯或混聯，所述LED芯片的前端發光區的P極與襯底的N型連接端電連接，后端發光區的N極與襯底的P型連接端電連接。

7.根據權利要求3所述的發光器件，其特征在于：該發光器件包括一LED芯片，該LED芯片包括多個相互獨立的發光區，每個發光區具有P極和N極，并通過所述襯底上的第一金屬線層串聯或并聯或混聯，所述LED芯片的前端發光區的P極與襯底的N型連接端電連接，后端發光區的N極與襯底的P型連接端電連接。

8.根據權利要求3所述的發光器件，其特征在于：該發光器件包括多個相互獨立的LED芯片，每個LED芯片具有P極和N極，并通過所述襯底上的第一金屬線層串聯或并聯或混聯，前端LED芯片的P極與襯底的N型連接端電連接，后端LED芯片的N極與襯底的P型連接端電連接。

9.根據權利要求1-8中任意一權利要求所述的發光器件，其特征在于：所述發光器件還包括一濾波電路，其集成在所述交流驅動電路芯片的襯底上，并串接在所述整流電路與交流電源之間。

10.根據權利要求9所述的發光器件，其特征在于：所述濾波電路由相互并聯的一電阻和一電容組成。

11.根據權利要求10所述的發光器件，其特征在于：所述電阻設置在所述襯底上的絕緣層的上表面。

12.根據權利要求11所述的發光器件，其特征在于：所述電阻在所述絕緣層表面呈迂回形狀。

13.根據權利要求10-12中任意一權利要求所述的發光器件，其特征在于：所述電容的結構是導電層一絕緣層一導電層的三層結構，其中，所述電容底部的導電層設置在絕緣層上并與所述第一金屬線層電連接，所述電容頂部的導電層通過一第三金屬線層連接至與電源連接端連接的第一金屬線層上。

14.根據權利要求1所述的發光器件，其特征在于：所述襯底的材料為硅片或碳化硅或在絕緣體上的硅。

15.一種使用交流電的發光器件的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

(1)形成LED芯片；

(2)在襯底上集成整流電路，并在襯底上形成二電源連接端，形成交流驅動電路芯片；

(3)將LED芯片倒裝在所述交流驅動電路芯片的襯底上，并與整流電路電連接。