[發明專利]前置放大器設計方法以及片上前置放大器設計方法

無效

• 申請號: 201010189770.7
• 申請日: 2010-06-02
• 公開（公告）號: CN101854149A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 陳瑩梅;王濤
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03F3/189
• 分類號: H03F3/189;H03F1/26
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 朱戈勝

1.一種前置放大器電路的設計方法，

在輸入級采用改進型調節式共源共柵(RGC)結構；然后通過三級共源級放大器，最后輸出信號OUT；

其特征是所述改進型RGC結構，由四只N型晶體管M1、M2、M3和M4構成，它們的連接方法是：

M1的柵端連接電源電壓VDD，M1的漏端連接電阻R1和M2的柵端，R1的另一端連接到電源電壓VDD，M1的源端連接到輸入信號IN；

M2的源端連接到地電位GND，M2的漏端連接電阻R2和M3的柵端，R2的另一端連接到電源電壓VDD；

M3的源端連接到M4的漏端，M3的漏端分別經電阻R3和L1連接VDD，和連接后面M5、M7和M9構成的三級共源級放大器；

M4的柵端接外部控制電壓Vb，M4的源端連接到地電位GND，M4的漏端連接連接輸入信號IN。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征是所述采用三級共源放大器電路，該電路由N型晶體管M5、M7和M9構成；M5、M7和M9的源端均接到地電位GND，

M5的漏端分別經負載電阻R4連接VDD、和連接M7的柵端，

M7的漏端分別經負載電阻R5連接VDD、和連接M9的柵端，

M9的漏端負載電阻R6連接VDD；

3.根據權利要求2所述的方法，其特征是還設有兩級交錯有源負反饋電路，該電路由N型晶體管M6和M8構成，M6的柵端接M7的漏端，M6的源端接到地電位GND，M6的漏端反饋回M5的柵端，M8的柵端接M9的漏端，M8的源端接到地電位GND，M8的漏端反饋回M7的柵端。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征是還設有一級電阻負反饋電路，該電路由電阻R7構成，R7兩端分別連接M9的柵端和漏端。

5.根據權利要求2或3或4所述的方法，其特征是還設有四級電感補償電路，該電路由電感L1、L2、L3和L4構成；

所述L1串聯在R3和VDD之間；所述L2串聯在R4和VDD之間；所述L3串聯在R5和VDD之間；所述L4串聯在R6和VDD之間。

6.一種按采用權利要求1～5任一所述方法的片上前置放大器電路的設計方法，其特征是采用MOSFET、MESFET工藝實現；所述L1、L2、L3和L4采用在片螺旋電感。