[發明專利]一種水溶性聚(3,4-乙烯二氧噻吩)及其導電涂料的制備方法無效
| 申請號: | 201010189019.7 | 申請日: | 2010-06-02 |
| 公開(公告)號: | CN101845136A | 公開(公告)日: | 2010-09-29 |
| 發明(設計)人: | 楊萬泰;梁杰;馬育紅 | 申請(專利權)人: | 北京化工大學 |
| 主分類號: | C08G61/12 | 分類號: | C08G61/12;C09D165/00;C09D125/14;C09D123/08;C09D131/04;C09D139/06;C09D5/24 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 水溶性 乙烯 二氧 噻吩 及其 導電 涂料 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種水溶性聚(3,4-乙烯二氧噻吩)及用其制備導電涂料的方法。
背景技術
自從1977年,美國化學家MacDiarmid,物理學家Heeger和日本化學家Shirakawa首次發現摻雜碘的聚乙炔具有金屬的特性以來,導電聚合物受到了各國科學家,產業界和政府的高度重視。導電聚合物的出現不僅打破了聚合物僅能作為絕緣體的傳統觀念,而且為低維的有機固體電子學的建立和完善做出了重要貢獻。由于其特有的輕質和高柔性的特點,以導電聚合物作為活性材料的電子設備,如聚合物發光二極管(PLEDs)和光伏電池等顯示出許多優異的性能。[參見:R.H.Friend,R.W.Gymer,A.B.Homes,J.H.Burroughes,R.N.Marks,C.Taliani,D.D.C.Bradley,D.A.Dos?Santos,J.L.Bredas,M.Logdlund,W.R.Salaneck,Nature?1999,397,121]但是大多數導電聚合物都是剛性鏈結構,表現為高度不可溶性及難熔融性,這給其加工帶來了極大的困難,從而限制了其在商業上的廣泛應用。
聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)是一種噻吩系列導電聚合衍生物。與其他導電聚合物相比,PEDOT具有高導電性、高穩定性以及氧化狀態下的高透明性,這些特性使其在抗靜電涂層、導電涂料、發光二極管、光電電池、電容器、有機薄膜晶體管等領域都得到廣泛應用。與其他導電聚合物相似,由于PEDOT的剛性鏈結構,因此難以通過溶液或熔融的方式加工成膜。目前解決PEDOT溶解性問題的方法主要有兩種,一種是在(3,4-乙烯二氧噻吩)單體分子結構中引入長鏈的烷基基團或者帶有強極性(如磺酸基)的基團,而使其聚合物能溶解于有機溶劑或水中;另外一種方法,也是PEDOT在實際使用中最為重要和廣泛使用的一種方法,即將EDOT在水中進行聚合,同時向水中加入水溶性離子聚合物——聚(苯乙烯磺酸鈉)(PSS),從而制得水溶性的PEDOT/PSS復合物,[參見:(a)L.Groenendaal,F.Jonas,D.Freitag,H.Pielartzik,J.R.Reynolds,Adv.Mater.2000,12,481.(b)S.Kirchmeyer;K.Reuter;J.Mater.Chem.2005,15,2077.]這種水溶性復合物具有良好的成膜性。
嚴格說來PEDOT/PSS復合物在水中所形成的并非溶液,而是由PEDOT/PSS納米顆粒形成的水性分散體系,PSS在這一體系中有兩個作用:(1)作為反離子的來源;(2)PSS使PEDOT在水性介質中分散成許多小段,而不是形成PEDOT大分子鏈。為了維持它在水中的分散性,導電聚合物PEDOT鏈的共軛長度必然受到限制,而鏈的共軛長度又是影響聚合物電導率的關鍵因素。另外還有研究成果表明由PEDOT/PSS干燥后有相分離現象,在所成的膜中存在PEDOT和PSS的富集區,不導電的PSS區會影響膜的電導率。以上這些因素使得通常情況下所制得的PEDOT/PSS薄膜的電導率都不超過1S/cm,所以不能直接用它來制作有機電極。為了解決PEDOT/PSS電導率低的問題,現在常用的方法是向PEDOT/PSS體系中加入多元醇或者介電常數高的溶劑,如二甲基亞砜、N,N-二甲基甲酰胺等。各國的研究人員對這一方法增加電導率的原理也進行了大量研究。[參見:(a)J.Y.Kim,J.H.Jung,D.E.Lee,J.Joo.,Synth.Met.2002,126,311.(b)F.Zhang,M.Johansson,M.R.Andersson,J.C.Hummelen,O.Inganas,Adv.Mater.2002,14,662.(c)S.L.Lai,Y.Chan,M.K.Fung,C.S.Lee,S.T.Lee,Mater.Sci.Eng.B?2003,104,26.(d)S.K.M.Jonsson,J.Birgerson,X.Crispin,G.Greczynski,W.Osikowicz,A.W.Denier?van?de?Gon,W.R.Salaneck,M.Fahlman,Synth?Met.2003,139,1.(e)Y.-H.Ha,N.Nikolov,S.K.Pollack,J.Mastrangelo,B.D.Martin,R.Shashidhar;Adv.Funct.Mater.2004,14,615.]
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