[發明專利]一種室溫下合成高溫相碘化亞銅的電化學制備方法

無效

• 申請號: 201010188755.0
• 申請日: 2010-06-01
• 公開（公告）號: CN101871112A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 劉潤;徐鑄德;陳科立;康紅藍
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C25D9/04
• 分類號: C25D9/04;C25D7/12
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種室溫下合成高溫相碘化亞銅的電化學制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1)用丙酮沖洗ITO導電玻璃或硅片2～3次，再用去離子水將ITO導電玻璃或硅片放在超聲波清洗器里清洗，接著將ITO導電玻璃或硅片放在10％的硝酸溶液中活化，最后用去離子水反復沖洗；

2)將0.002～2mol/L?Cu(NO₃)₂、0.002～2mol/L的KI、0.002～2mol/L乙二胺四乙酸二鈉鹽、3.4×10^-6～1.7×10^-3mol/L的K30聚乙烯吡咯烷酮進行混合，用2mol/L的HNO₃或0.1mol/L的NaOH溶液調節pH值1～5，得到電解液；

3)ITO導電玻璃或硅片作為工作電極，鉑片電極作為對電極，飽和甘汞電極作為參比電極一起放入電解液中進行電沉積，得到高溫相碘化亞銅，相對于飽和甘汞電極的電沉積電壓為0.1V～-0.5V，電沉積時間為10分鐘～60分鐘，電沉積溫度25～80℃。