[發明專利]用于從靜電吸盤最優化移開晶片的方法

無效

• 申請號: 201010188006.8
• 申請日: 2010-02-20
• 公開（公告）號: CN101872716A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: T·布盧克;H·薩西布迪恩;D·格里馬德
• 申請（專利權）人: 因特瓦克公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/683
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;夏青

1.一種襯底處理系統，包括：

靜電吸盤；

提升銷，所述提升銷用于相對于所述靜電吸盤移動晶片；

電機，所述電機與所述提升銷耦接并且利用電機電流移動所述提升銷，以便相對于所述靜電吸盤移動所述晶片；以及

電壓源，所述電壓源與所述靜電吸盤耦接，所述電壓源用于施加電壓到所述靜電吸盤；以及

控制器，所述控制器用于測量所述提升銷上的力、發送信號給所述電壓源以調整施加到所述靜電吸盤的所述電壓，并且發送信號給所述電壓源以固定在所述提升銷上所測量的力對應于釋放力的值時施加到所述靜電吸盤的所述電壓。

2.如權利要求1所述的襯底處理系統，其中，所述控制器用于通過測量所述電機電流來測量所述提升銷上的所述力。

3.如權利要求2所述的襯底處理系統，其中，所述控制器用于從所測量的電機電流確定電機轉矩。

4.如權利要求1所述的襯底處理系統，其中，所述控制器用于通過施加掃描電壓來調整所述電壓。

5.如權利要求4所述的襯底處理系統，其中，所述掃描電壓介于約-5000V和+5000V之間。

6.如權利要求1所述的襯底處理系統，其中，所述控制器用于在完成處理室中的所述晶片的處理之后發送信號給所述電機以升高所述提升銷到壓力位置。

7.如權利要求1所述的襯底處理系統，其中，所述靜電吸盤選自由單極靜電吸盤、雙極靜電吸盤和多極靜電吸盤構成的組。

8.如權利要求1所述的襯底處理系統，其中，所述控制器用于使用力傳感器測量所述提升銷上的所述力。

9.一種用于從靜電吸盤釋放晶片的方法，包括：

監測提升銷結構上的力；

基于所述力確定釋放電壓；以及

以所述釋放電壓釋放所述晶片。

10.如權利要求9所述的方法，其中，監測所述提升銷結構上的所述力包括監測電機轉矩，并且其中基于所述力確定所述釋放電壓包括基于所述電機轉矩確定所述釋放電壓。

11.如權利要求9所述的方法，其中，以所述釋放電壓釋放所述晶片包括：

施加掃描范圍的電壓，所述電壓被施加到所述靜電吸盤；以及

當所述電機轉矩處于對應于所述釋放電壓的值時，將所述電壓固定在所述釋放電壓。

12.如權利要求9所述的方法，其中，以所述釋放電壓釋放所述晶片包括利用所述電機致動所述提升銷結構。

13.如權利要求9所述的方法，其中，監測力包括測量電機電流。

14.如權利要求9所述的方法，還包括通過監測晶片松開時的力校準與所述提升銷結構耦接的控制器。

15.如權利要求9所述的方法，還包括通過監測晶片輕微夾緊時的力校準與所述提升銷結構耦接的控制器。

16.如權利要求10所述的方法，其中，監測所述電機轉矩包括識別最小電機電流。

17.如權利要求16所述的方法，其中，調整所述電壓包括施加對應于所述最小電機電流的電壓。

18.如權利要求16所述的方法，其中，如果所述最小值在預定的經驗值范圍內，則調整所述電壓包括施加對應于所述最小電機電流的電壓。

19.如權利要求16所述的方法，其中，如果所述電機電流為負，則調整所述電壓包括施加對應于所述最小電機電流的電壓。

20.如權利要求16所述的方法，其中，調整所述電壓包括施加對應于所述最小電機電流的電壓，并且其中所述方法還包括：

致動所述提升銷到中間位置；

當致動所述提升銷時監測所述電機電流以識別跟隨有第二最小電機電流的尖峰；以及

如果出現所述尖峰并且跟隨有所述第二最小值，則致動所述提升銷到移開位置。

21.如權利要求20所述的方法，還包括確定所述第一最小值和第二最小值是否落入預定的經驗值范圍內。

22.如權利要求20所述的方法，還包括確定所述第一最小值和第二最小值是否為負。

23.如權利要求16所述的方法，其中，使用力傳感器監測所述提升銷結構上的力。