[發明專利]橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法

無效

• 申請號: 201010187627.4
• 申請日: 2010-05-25
• 公開（公告）號: CN102263029A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 桂林春;王樂;林奕瓊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，包括：提供半導體襯底，在所述半導體襯底上沉積場板介電層；圖形化所述場板介電層，形成橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的場板。

2.如權利要求1所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于，采用各向同性刻蝕方式圖形化所述場板介電層。

3.如權利要求1所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于，經過所述各向同性刻蝕形成的場板具有邊緣部分和平臺部分兩個部分，所述邊緣部分為斜坡狀。

4.如權利要求1所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于，所述場板介電層的厚度為2000埃至5000埃。

5.如權利要求1所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于，所述場板介電層為氧化硅。

6.如權利要求5所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于，所述氧化硅的沉積方法為低壓化學氣相淀積或低溫化學氣相淀積。

7.如權利要求5所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于，圖形化所述場板介電層采用緩沖氧化刻蝕劑濕法腐蝕方式，反應條件為：緩沖氧化刻蝕劑溶液中NH₄F與HF的配比為7∶1至20∶1，反應溫度為20攝氏度至25攝氏度，腐蝕速率為300至800埃/分鐘，反應時間為5分鐘至15分鐘。

8.如權利要求1所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法，其特征在于，還依次包括：在半導體襯底上鄰近場板的部分區域形成柵介電層；形成柵電極，所述柵電極覆蓋場板的部分區域及柵介電層的全部區域；對所述半導體襯底進行離子注入，在與柵介電層相鄰的半導體襯底中形成體區；對所述半導體襯底進行退火，在柵介電層下方的部分半導體襯底中形成反型溝道區；對所述半導體襯底進行離子注入，在鄰近柵介電層一側的體區中形成漏區、在鄰近場板一側的半導體襯底中形成源區。

9.一種橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管，包括：半導體襯底；位于所述半導體襯底上的場板介電層，作為橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管的場板。

10.如權利要求9所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述場板包括相鄰的邊緣部分和平臺部分，所述邊緣部分為斜坡狀。

11.如權利要求10所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述場板的平臺部分厚度為2000埃至5000埃。

12.如權利要求9所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，所述場板介電層為氧化硅。

13.如權利要求9所述的橫向擴散型金屬氧化物半導體晶體管，其特征在于，還包括：位于半導體襯底上的柵介電層，所述柵介電層與場板相鄰且無間隙；柵電極，所述柵電極覆蓋場板的部分區域及柵介電層的全部區域；體區，位于半導體襯底內并延伸至柵介電層一側的下方，位于柵介電層一側下方的體區形成反型溝道區；漏區，位于體區內，與反型溝道區相鄰；源區，位于場板的遠離柵介電層一側的半導體襯底內。