[發(fā)明專利]具有其中配置有活性成分的凹槽的片劑及其制備方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010187366.6 | 申請(qǐng)日: | 2010-03-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101849923A | 公開(公告)日: | 2010-10-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | C-M·詹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 伊諾維斯塔公司 |
| 主分類號(hào): | A61K9/44 | 分類號(hào): | A61K9/44 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 陳昕 |
| 地址: | 美國佛*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 其中 配置 活性 成分 凹槽 片劑 及其 制備 方法 | ||
1.一種片劑,其包含:
成分,選自活性藥用成分、藥物和原料藥;和
賦形劑;
其中:
所述片劑具有一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽;并且
所述成分全部置于所述一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽的至少一個(gè)之中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的片劑,其中所述片劑具有多于一個(gè)的凹槽。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的片劑,其中所述片劑只具有兩個(gè)凹槽,且這兩個(gè)凹槽位于片劑的相對(duì)側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的片劑,其中所述成分僅全部置于兩個(gè)凹槽中的一個(gè)內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的片劑,其中當(dāng)測(cè)量至底部時(shí),所述成分全部置于其內(nèi)的凹槽具有的深度范圍為0.1mm以上至3.0mm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的片劑,其中所述凹槽的深度范圍為0.5mm以上至2.5mm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的片劑,其中所述凹槽的深度范圍為1.0mm以上至2.0mm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的片劑,其中當(dāng)測(cè)量其最大跨距時(shí),所述成分全部置于其內(nèi)的凹槽的開口具有的尺寸范圍為0.5mm以上至5.0mm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的片劑,其中所述凹槽開口的尺寸范圍為1.0mm以上至4.0mm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的片劑,其中所述凹槽開口的尺寸范圍為1.2mm以上至3.0mm以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的片劑,其中全部置于所述片劑的一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽的至少一個(gè)之中的成分的量的范圍為0.001mg以上至20mg以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的片劑,其中所述成分的量的范圍為0.005mg以上至10mg以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的片劑,其中所述成分的量的范圍為0.01mg以上至5mg以下。
14.一種制備片劑的方法,其包括以下步驟:
制備具有一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽的片劑;和
將包含選自活性藥用成分、藥物和原料藥的成分的分散體配置于所述片劑的一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽的至少一個(gè)之中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法,其中在制備步驟中形成的片劑具有多于一個(gè)的凹槽。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法,其中在制備步驟中形成的片劑只具有兩個(gè)凹槽,且這兩個(gè)凹槽位于片劑的相對(duì)側(cè)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的方法,其中在配置步驟中,所述配置于片劑的一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽的至少一個(gè)之中的分散體中含有的成分的量的范圍為0.001mg以上至20mg以下。
18.根據(jù)權(quán)利要求14的方法,其中在配置步驟中,所述配置于片劑的一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽的至少一個(gè)之中的會(huì)散體中含有的成分的量的范圍為0.005mg以上至10mg以下。
19.根據(jù)權(quán)利要求14的方法,其中在配置步驟中,所述配置于片劑的一個(gè)凹槽或多個(gè)凹槽的至少一個(gè)之中的分散體中含有的成分的量的范圍為0.01mg以上至5mg以下。
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