[發明專利]一種可減小襯底電流的LDMOS器件及其制造方法

無效

• 申請號: 201010187355.8
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN101872763A
• 公開（公告）日: 2010-10-27
• 發明（設計）人: 王顥
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種可減小襯底電流的LDMOS器件，包括硅襯底、高壓阱、源極、源極漂移區、漏極、漏極漂移區、柵極及其側墻，該高壓阱形成在該硅襯底中，該源極漂移區和漏極漂移區形成在該高壓阱中且排布在柵極兩側，該源極和漏極分別形成在該源極漂移區和漏極漂移區中，該源極和漏極分別通過設置在源極漂移區和漏極漂移區的近柵溝槽隔離結構與柵極隔離，其特征在于，該近柵溝槽隔離結構包括靠近柵極的第一隔離單元和遠離柵極的第二隔離單元，該第一隔離單元的厚度小于該第二隔離單元的厚度。

2.如權利要求1所述的可減小襯底電流的LDMOS器件，其特征在于，該近柵溝槽隔離結構還包括位于第一隔離單元和第二隔離單元間的中間隔離單元，該中間隔離單元的厚度位于第一隔離單元和第二隔離單元的厚度之間。

3.如權利要求2所述的可減小襯底電流的LDMOS器件，其特征在于，該中間隔離單元為多個，其沿遠離柵極的方向厚度依次增大。

4.如權利要求1所述的可減小襯底電流的LDMOS器件，其特征在于，該源極和漏極分別通過設置在遠離柵極一側的遠柵溝槽隔離結構與高壓阱隔離，該遠柵溝槽隔離結構的厚度等于第一隔離單元或第二隔離單元的厚度。

5.如權利要求1所述的可減小襯底電流的LDMOS器件，其特征在于，該第一隔離單元的厚度范圍為0.2至0.3微米，該第二隔離單元的厚度范圍為0.4至0.5微米。

6.一種權利要求1所述的可減小襯底電流的LDMOS器件的制造方法，包括以下步驟：a、提供一硅襯底；b、進行離子注入工藝和退火工藝在該硅襯底上形成高壓阱；c、在高壓阱柵極區域兩側分別制作近柵溝槽隔離結構，并在源極和漏極區域兩側分別制作遠柵溝槽隔離結構；d、進行離子注入工藝和退火工藝在該高壓阱形成源極漂移區和漏極漂移區；e、在高壓阱上制作柵極及其側墻；f、進行離子注入工藝和退火工藝分別在源極漂移區和漏極漂移區形成源極和漏極；其特征在于，步驟c包括以下步驟：c1、進行光刻工藝形成近柵溝槽隔離結構和遠柵溝槽隔離結構圖形；c2、進行干法刻蝕工藝形成預設深度的溝槽，該預設深度等于第一隔離單元的厚度；c3、進行光刻工藝形成第二隔離單元圖形；c4、進行干法刻蝕工藝形成近柵隔離溝槽；c5、進行化學氣相沉積工藝沉積氧化硅；c6、進行化學機械拋光形成近柵溝槽隔離結構和遠柵溝槽隔離結構。

7.如權利要求6所述的可減小襯底電流的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，該方法在步驟c2和c3之間還具有進行光刻工藝和干法刻蝕工藝在第一隔離單元遠離柵極的一側形成中間隔離單元溝槽的步驟。

8.如權利要求6所述的可減小襯底電流的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在步驟c3中，所進行的光刻工藝還形成遠柵溝槽隔離結構圖形。

9.如權利要求8所述的可減小襯底電流的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在步驟c4中，所進行的干法刻蝕工藝還形成遠柵隔離溝槽。

10.如權利要求6所述的可減小襯底電流的LDMOS器件的制造方法，其特征在于，在步驟c5中，通過高密度等離子體化學氣相沉積工藝沉積氧化硅。