[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010187222.0
• 申請(qǐng)日: 2010-05-31
• 公開（公告）號(hào): CN102263187A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝明村;曾文良;陳隆欣;林志勇;葉進(jìn)連;廖啟維
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/58
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，包括用于封裝發(fā)光二極管芯片的封裝體，其特征在于：所述封裝體的內(nèi)表面、外表面及入光面中的至少一面上形成光子晶體圖案，且所述光子晶體圖案系利用晶圓級(jí)基板模仁加工形成。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光子晶體圖案的密度呈梯度分布。

3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光子晶體圖案的密度與經(jīng)過封裝體的光強(qiáng)度成正比。

4.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其步驟包括：

提供發(fā)光二極管芯片，將發(fā)光二極管芯片設(shè)置在一封裝基板上并電性連結(jié)到外部電極；

提供晶圓級(jí)基板模仁；

加工所述晶圓級(jí)基板模仁，使晶圓級(jí)基板模仁上形成光子晶體圖案；

提供封裝材料，并將封裝材料填充至晶圓級(jí)基板模仁內(nèi)形成封裝體，其中封裝體的表面具有上述光子晶體圖案；及

將封裝體封裝于發(fā)光二極管芯片上。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：采用電鑄加工或高能量束加工所述晶圓級(jí)基板模仁而形成光子晶體圖案。

6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述封裝材料為玻璃、硅膠、PC或者PMMA。

7.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述封裝材料中填充有熒光粉。

8.如權(quán)利要求4或7所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述封裝材料中填充有擴(kuò)散劑。

9.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述封裝體的至少一個(gè)表面上涂布有熒光粉。

10.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述光子晶體圖案的密度在晶圓級(jí)基板模仁上呈梯度分布。