[發(fā)明專利]采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010186733.0
• 申請(qǐng)日: 2010-05-28
• 公開（公告）號(hào): CN101853412A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪勇;劉奕昌;武岳山
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市遠(yuǎn)望谷信息技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): G06K19/067
• 分類號(hào): G06K19/067
• 代理公司: 深圳市中知專利商標(biāo)代理有限公司 44101
• 代理人: 孫皓;林虹

1.一種采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，具有電子標(biāo)簽(3)，其特征在于：所述電子標(biāo)簽(3)粘貼在光子晶體上，所述光子晶體由相對(duì)磁導(dǎo)率為30-100、相對(duì)介電常數(shù)為10-20的柔性高磁導(dǎo)率材料作為標(biāo)簽襯底(1)，其上粘貼有金屬薄膜(2)，金屬薄膜(2)上蝕刻有整齊的膜片陣元的金屬陣列，陣元之間的縫隙寬度一致，電子標(biāo)簽(3)粘貼在金屬薄膜(2)上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述標(biāo)簽襯底(1)長(zhǎng)50-200mm，寬50-200，厚0.1-3.75mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述金屬薄膜(2)長(zhǎng)50-200，寬50-200，厚10μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述金屬薄膜(2)采用銅箔或者鋁箔。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述標(biāo)簽襯底(1)上用雙面膠粘貼金屬薄膜(2)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述膜片陣元形狀為正方形、圓形、三角形或五邊形。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述電子標(biāo)簽(3)的外圍尺寸大于金屬薄膜(2)上的金屬陣元尺寸，為不小于5倍。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述標(biāo)簽襯底(1)采用ECCOPAD?UHF-GL材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的采用光子晶體的金屬電子標(biāo)簽，其特征在于：所述標(biāo)簽襯底，相對(duì)磁導(dǎo)率為30，相對(duì)介電常數(shù)為12，長(zhǎng)為120mm，寬為50mm，厚為1.25mmmm，金屬銅箔或鋁箔，長(zhǎng)為120mm，寬為50mm，厚為1.25mm，光子晶體上金屬薄膜正方形陣元的邊長(zhǎng)為9mm，陣元之間的縫隙寬度為1mm。