[發明專利]用共沉淀法制備稀土鈰離子摻雜釔鋁石榴石熒光粉的方法

無效

• 申請號: 201010186604.1
• 申請日: 2010-05-26
• 公開（公告）號: CN101851510A
• 公開（公告）日: 2010-10-06
• 發明（設計）人: 羅學濤;吳浩;李錦堂;劉春佳;龔惟揚
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: C09K11/80
• 分類號: C09K11/80
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 馬應森

技術領域

本發明涉及一種熒光粉，尤其是涉及一種用共沉淀法制備稀土鈰離子摻雜釔鋁石榴石熒光粉的方法。

背景技術

熒光物質廣泛的被應用于熒光燈、陰極射線管(Cathode?Ray?Tube，CRT)、電視的熒光屏以及閃爍計數器中。近年來，隨著CRT的廣泛的應用，熒光物質的用量也隨之增加。而且熒光屏朝大面積及高解析度發展，CRT對所使用的熒光體材料也提出了更高的要求。傳統所用的熒光材料是單晶粉末，粒度1～5μm且粉體形狀趨于球形，而如今為了提高熒屏的壽命及承受較高電子能量的沖擊，對熒光效率(Luminescence?Efficiency)、亮度(Brightness)及耐腐蝕能力(Resistant?to?Degradation)的要求也更為提高。YAG本身具有高導熱性、高硬度、高折射率及低膨脹系數的優點使其能夠成為理想的熒光物質。常用的熒光材料是采用單晶拉伸出大單晶，然后通過粉碎，研磨等工藝來達到所需要的粒度。但這種方法得到的粉末容易引進雜質，粒度分布不均勻，結構有缺陷，存在殘余應力和顆粒形狀不一致等缺點。最近有研究采用熔鹽法來制備YAG單晶粉末取得了很大的進展(林元龍.以熔鹽法制備釔鋁石榴石YAG:Tb，Ce單晶粉末的研究[D].國立成功大學碩士論文集，1992)。

YAG:Ce熒光體的發光性質首先由Blasse(Blasse?G.，Bril?A.J.Investigation?of?some?Ce³⁺-activated?phosphors[J].Journal?of?Chemical?Physics，1976，47(12)：5139-5245.)等人研究。后來，Weber(Jacobs?R.R，Krupke?W.F，Weber?M.J.Measurement?of?excited-state-absorption?loss?forCe³⁺?in?Y₃Al₅O₁₂?and?implications?for?tunable?5d→4f?rare-earth?lasers[J].Applied?Physics?Letters，1978，(33)：410-412.)等人指出，在立方的YAG晶場中，Ce³⁺的5d激發(吸收)態應劈裂為5個，其中兩個能量最低的激發態分別位于藍光譜區和長波UV區。在20世紀70年代，Ce³⁺激活的YAG作為超短余輝飛點掃描熒光粉得到了廣泛的應用；90年代，由于白光LED的開發成功，該熒光粉的應用潛能再一次顯現出來。因為它的發光是由于5d→4f躍遷引起，5d電子處于沒有屏蔽外裸露狀態，5d→4f躍遷能量隨晶體環境改變而變化，因此可通過改變基質組成，使該熒光粉的光譜峰值發生改變，從而可以和不同峰值波長的藍光LED相匹配(宋春曉.白光LED用YAG:Ce熒光粉的研制[D].廈門大學碩士學位論文，2006)。