[發(fā)明專利]制造磁性器件的方法和設備

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010185945.7
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN101901868A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設計）人: 桑杰·辛德;小平吉三;古用太郎
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種制造磁性器件的方法，該方法包括：

制備包括至少一個磁性層或反磁性層的結構；和

使用非有機材料的掩模，通過碳氫化合物氣體與惰性氣體的混合氣體的等離子體加工所述結構，以干法蝕刻所述磁性層或反磁性層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述碳氫化合物氣體包括烯烴、炔烴、芳烴、胺或腈氣體，或者它們兩種或多種的混合物。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述惰性氣體包括氮氣，或者He、Ne、Ar、Kr或Xe氣體。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述混合氣體包括乙烯氣體和氮氣。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述掩模為包括Ta、Ti、Al或Si，或者Ta、Ti、Al或Si的氧化物，或者Ta、Ti、Al或Si的氮化物的單層或多層。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中，所述混合氣體包括相對于所述混合氣體的總體積為0體積％至95體積％范圍內的惰性氣體。

7.一種制造磁性器件的設備，該設備包括：

膜形成單元，所述膜形成單元用于在基板上形成磁性層或反磁性層；和

干法蝕刻單元，所述干法蝕刻單元包括設置有腔室的等離子體產(chǎn)生裝置、在所述腔室中的基板保持架、用于將氣體導入所述腔室的氣體導入裝置、用于產(chǎn)生氣體的等離子體的等離子體產(chǎn)生裝置、用于從所述氣體的等離子體提取離子并將所述提取的離子導向所述基板保持架的偏壓施加裝置和控制器，

其中，所述控制器控制干法蝕刻單元，以通過所述氣體導入裝置將碳氫化合物氣體與惰性氣體的混合氣體導入所述腔室，通過等離子體產(chǎn)生裝置產(chǎn)生所述導入氣體的等離子體并從所述氣體的等離子體提取離子并將所述提取的離子導向所述基板保持架。