[發明專利]熱輻射散熱發光二極管結構及其制作方法

無效

• 申請號: 201010185720.1
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN102263185A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發明（設計）人: 陳烱勛
• 申請（專利權）人: 景德鎮正宇奈米科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京華夏博通專利事務所 11264
• 代理人: 劉俊

1.一種熱輻射散熱發光二極管結構，其特征在于，包括：

一藍寶石基板；

一發光二極管芯片，形成于該藍寶石基板上，且包括至少依序堆棧的一N型半導體層、一半導體發光層、一P型半導體層，其中該半導體發光層可在順向偏壓而導通時發射光線；

一底座基板；

一熱輻射散熱薄膜，形成于該底座基板上；

一黏著導熱層，位于該藍寶石基板及該熱輻射散熱薄膜之間，用以連結該藍寶石基板及該熱輻射散熱薄膜；

至少一電氣連接線，用以分別電氣連接至該LED磊晶層的N型半導體層及P型半導體層至外部電源的正電端及負電端；以及

一封裝膠體，用以包覆該LED磊晶層；

其中，該熱輻射散熱薄膜包含金屬與非金屬的組合物，且該組合物包含銀、銅、錫、鋁、鈦、鐵及銻的至少其中之一，以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或無機酸機化物，且該熱輻射散熱薄膜具有結晶體的顯微結構。

2.如權利要求1所述的熱輻射散熱發光二極管結構，其特征在于，該熱輻射散熱薄膜的結晶體的大小為數微米至數納米之間，該熱輻射散熱薄膜與該底座基板的熱膨脹系數的差額比不大于0.1％。

3.如權利要求1所述的熱輻射散熱發光二極管結構，其特征在于，還包括一散熱裝置，連結至該底座基板，以增強散熱能力。

4.一種熱輻射散熱發光二極管結構的制作方法，其特征在于，步驟包括：

在一藍寶石基板上形成一LED磊晶層，該LED磊晶層包括至少依序堆棧的一N型半導體層、一半導體發光層、一P型半導體層，其中該半導體發光層可在順向偏壓而導通時發射光線；

在一底座基板上形成一熱輻射散熱薄膜；以及

利用黏著導熱層結合該藍寶石基板及該熱輻射散熱薄膜，以形成一熱輻射散熱發光二極管結構；

其中，該熱輻射散熱薄膜包含金屬與非金屬的組合物，且該組合物包含銀、銅、錫、鋁、鈦、鐵及銻的至少其中之一，以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或無機酸機化物，且該熱輻射散熱薄膜具有結晶體的顯微結構。

5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，該熱輻射散熱薄膜的結晶體的大小為數微米至數納米之間，該熱輻射散熱薄膜與該底座基板的熱膨脹系數的差額比不大于0.1％。

6.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，將一散熱裝置連結至該底座基板，以增強散熱能力。

7.一種熱輻射散熱發光二極管結構，其特征在于，包括：

一藍寶石基板，具一上部表面及一下部表面；

一發光二極管芯片，形成于該藍寶石基板的上部表面上，且包括至少依序堆棧的一N型半導體層、一半導體發光層、一P型半導體層，其中該半導體發光層可在順向偏壓而導通時發射光線；

一第一熱輻射散熱薄膜，形成于該藍寶石基板的下部表面上；

一底座基板；

一第二熱輻射散熱薄膜，形成于該底座基板上；

一納米釉層，形成于該第二熱輻射散熱薄膜上；

一黏著導熱層，位于該第一熱輻射散熱薄膜及該納米釉層之間，用以連結該第一熱輻射散熱薄膜及該納米釉層；

至少一電氣連接線，用以分別電氣連接至該LED磊晶層的N型半導體層及P型半導體層至外部電源的正電端及負電端；以及

一封裝膠體，用以包覆該LED磊晶層；

其中，該第一及第二熱輻射散熱薄膜包含金屬與非金屬的組合物，且該組合物包含銀、銅、錫、鋁、鈦、鐵及銻的至少其中之一，以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或無機酸機化物，且該第一及第二熱輻射散熱薄膜具有結晶體的顯微結構。

8.如權利要求7所述的熱輻射散熱發光二極管結構，其特征在于，該第一及第二熱輻射散熱薄膜的結晶體的大小為數微米至數納米之間。

9.如權利要求7所述的熱輻射散熱發光二極管結構，其特征在于，該第一熱輻射散熱薄膜與該藍寶石基板的熱膨脹系數的差額比不大于0.1％，且該第二熱輻射散熱薄膜與該底座基板的熱膨脹系數的差額比不大于0.1％。