[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010185591.6
• 申請(qǐng)日: 2010-05-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101901861A
• 公開(kāi)（公告）日: 2010-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小島健介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L33/20
• 分類號(hào): H01L33/20
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種發(fā)光二極管的制造方法，該方法包括以下步驟：

在第一基板上生長(zhǎng)由具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的、形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層，所述第一基板由具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，并且具有相對(duì)于(001)面在[110]方向上傾斜的主表面；

將所述第一基板在所述半導(dǎo)體層側(cè)上結(jié)合第二基板；

去除所述第一基板，從而暴露出所述半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層的暴露面上以矩形平面形狀形成蝕刻掩模，使得長(zhǎng)邊在[110]或[-1-10]方向上延伸，而短邊在[-110]或[1-10]方向上延伸；以及

使用所述蝕刻掩模通過(guò)濕蝕刻來(lái)圖案化所述半導(dǎo)體層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中，使用所述蝕刻掩模通過(guò)濕蝕刻而被圖案化的所述半導(dǎo)體層在平行于所述蝕刻掩模的短邊的方向上具有倒梯形截面形狀，并且具有平行于所述蝕刻掩模的長(zhǎng)邊的兩個(gè)側(cè)面，所述兩個(gè)側(cè)面分別位于(1-11)面和(-111)面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中，形成所述第一基板的所述化合物半導(dǎo)體和形成所述半導(dǎo)體層的所述化合物半導(dǎo)體為第III-V族化合物半導(dǎo)體或第II-VI族化合物半導(dǎo)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中，形成所述半導(dǎo)體層的所述化合物半導(dǎo)體為AlGaInP半導(dǎo)體、GaAs半導(dǎo)體或ZnSe半導(dǎo)體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管的制造方法，其中，形成所述半導(dǎo)體層的所述化合物半導(dǎo)體為磷系化合物半導(dǎo)體，并且其中，被冷卻至低于5℃的溫度的鹽酸用作用于所述半導(dǎo)體層的濕蝕刻的蝕刻劑。

6.一種發(fā)光二極管，包括：

半導(dǎo)體層，由具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，并形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，所述半導(dǎo)體層具有在一個(gè)方向上的梯形截面形狀、相對(duì)于(001)面在[110]方向上傾斜的上底側(cè)主表面、以及分別位于(1-11)面和(-111)面的兩個(gè)側(cè)面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其中，形成所述半導(dǎo)體層的所述化合物半導(dǎo)體為第III-V族化合物半導(dǎo)體或第II-VI族化合物半導(dǎo)體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管，其中，形成所述半導(dǎo)體層的所述化合物半導(dǎo)體為AlGaInP半導(dǎo)體、GaAs半導(dǎo)體或ZnSe半導(dǎo)體。

9.一種發(fā)光二極管的制造方法，該方法包括以下步驟：

在基板上生長(zhǎng)由具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的、形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層，所述基板由具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，并且具有相對(duì)于(001)面在[-110]方向上傾斜的主表面；

在所述半導(dǎo)體層上以矩形平面形狀形成蝕刻掩模，使得長(zhǎng)邊在[-110]或[1-10]方向上延伸，而短邊在[110]或[-1-10]方向上延伸；以及

使用所述蝕刻掩模通過(guò)濕蝕刻來(lái)圖案化所述半導(dǎo)體層。

10.一種發(fā)光二極管，包括：

半導(dǎo)體層，由具有閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成，并形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中，所述半導(dǎo)體層具有在一個(gè)方向上的梯形截面形狀、相對(duì)于(001)面在[-110]方向上傾斜的上底側(cè)主表面、以及分別位于(111)面和(-1-11)面的兩個(gè)側(cè)面。