[發明專利]鉻合金靶材及具有硬質薄膜的金屬材料

無效

• 申請號: 201010185520.6
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN102251222A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 董寰乾;李至隆;邱軍浩
• 申請（專利權）人: 中國鋼鐵股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/16
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 曹小剛;李連濤

1.鉻硅合金靶材，由鉻和硅組成，其中該鉻所占的重量百分比為5％至95％；

其中所述鉻硅合金靶材當經由物理氣相濺射工藝所產生的薄膜的厚度大于或等于2微米時，該薄膜的維氏硬度值為Hv800至Hv1200。

2.如權利要求1所述的鉻硅合金靶材，其中該物理氣相濺射工藝選自由直流式濺射工藝、中頻式濺射工藝、射頻式濺射工藝及磁控管濺射工藝所組成的群組。

3.鉻鍺合金靶材，由鉻及鍺組成，其中該鉻所占的重量百分比為5％至95％；

其中所述鉻鍺合金靶材當經由物理氣相濺射工藝所產生的薄膜的厚度大于或等于2微米，該薄膜的維氏硬度值為Hv800至Hv1000。

4.如權利要求3所述的鉻鍺合金靶材，其中該物理氣相濺射工藝選自由直流式濺射工藝、中頻式濺射工藝、射頻式濺射工藝及磁控管濺射工藝所組成的群組。

5.具有硬質薄膜的金屬材料，包含：

金屬基板；以及

鉻硅合金薄膜，其由鉻硅合金靶材通過物理氣相濺射工藝形成于該金屬基板的一個表面上；

其中該鉻硅合金靶材由鉻及硅組成，且該鉻所占的重量百分比為5％至95％；

其中當該鉻硅合金薄膜的厚度大于或等于2微米時，該鉻硅合金薄膜的維氏硬度值為Hv800至Hv1200。

6.如權利要求5所述的具有硬質薄膜的金屬材料，其中該金屬基板的材料選自由不銹鋼、銅合金、鋁合金、鎂合金、鈦合金及上述材料的任意組合所組成的群組。

7.如權利要求5所述的具有硬質薄膜的金屬材料，還包含介于所述金屬基板和所述鉻硅合金薄膜之間的金屬薄膜；

其中該金屬薄膜的材料選自由不銹鋼、鎳合金、鈦、鋯、銅、鎳及鉻所組成的群組。

8.如權利要求5所述的具有硬質薄膜的金屬材料，其中該物理氣相濺射工藝選自由直流式濺射工藝、中頻式濺射工藝、射頻式濺射工藝及磁控管濺射工藝所組成的群組。

9.具有硬質薄膜的金屬材料，包含：

金屬基板；以及

鉻鍺合金薄膜，其由鉻鍺合金靶材通過物理氣相濺射工藝形成于該金屬基板的一個表面上；

其中該鉻鍺合金靶材由鉻及鍺組成，且該鉻所占的重量百分比為5％至95％；

其中當該鉻鍺合金薄膜的厚度大于或等于2微米時，該鉻鍺合金薄膜的維氏硬度值為Hv800至Hv1000。

10.如權利要求9所述的具有硬質薄膜的金屬材料，其中該金屬基板的材料選自由不銹鋼、銅合金、鋁合金、鎂合金及鈦合金所組成的群組。

11.如權利要求9所述的具有硬質薄膜的金屬材料，還包括介于所述金屬基板和所述鉻鍺合金薄膜之間的金屬薄膜；

其中所述金屬薄膜的材料選自由不銹鋼、鎳合金、鈦、鋯、銅、鎳及鉻所組成的群組。

12.如權利要求9所述的具有硬質薄膜的金屬材料，其中該物理氣相濺射工藝選自由直流式濺射工藝、中頻式濺射工藝、射頻式濺射工藝及磁控管濺射工藝所組成的群組。