[發明專利]太陽能電池裝置無效
| 申請號: | 201010185263.6 | 申請日: | 2010-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN102263150A | 公開(公告)日: | 2011-11-30 |
| 發明(設計)人: | 賴志銘 | 申請(專利權)人: | 富士邁半導體精密工業(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/052;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 201600 上海市松江區*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,尤其涉及一種太陽能電池裝置。
背景技術
太陽能電池單元結構主要包括基板、設于基板的P型半導體材料層及N型半導體材料層。太陽能電池單元主要應用光電轉換原理,將太陽的輻射能光子通過半導體物質轉變為電能。具體地,當太陽光照射至半導體,一部分光子被表面反射掉,其余部分光子被半導體吸收或透過。被吸收的光子,一部分變成熱能,另一部分光子則同組成半導體的原子價電子碰撞,產生電子-空穴對。如此,光能就以產生電子-空穴對的形式轉變為電能,并于P型及N型交界面兩邊形成勢壘電場,將電子驅向N區,空穴驅向P區,從而使得N區有過剩電子,P區有過??昭ǎ赑-N結附近形成與勢壘電場方向相反的光生電場。光生電場的一部分除抵消勢壘電場外,還使P型層帶正電,N型半導體層帶負電,在N區與P區之間的薄層產生所謂光生伏打電動勢。若分別自P型層及N型半導體層焊接金屬引線,接通負載,則外電路便有電流通過。
太陽能電池裝置通常由透明面板、基板及多個設于該透明面板與基板之間的太陽能電池單元封裝而成。其中,該多個太陽能電池單元中每兩個太陽能電池單元通過一條導線相連,如此,所有太陽能電池單元相互串聯。每相鄰兩個太陽能電池單元之間隙由絕緣樹脂填充。惟,由于該導線的兩端分別連于相鄰兩個太陽能電池單元的前電極及背電極,即該導線與該透明面板及基板形成一定夾角,于封裝過程中該導線容易因該絕緣樹脂施加的壓力而斷線或者多個導線碰在一起而短路,浪費原料,且引起產品良率低下。對應地,封裝時需時時注意導線之間是否相互接觸,導致封裝費時,不利于提高生產效率。
有鑒于此,提供一種太陽能電池裝置來避免短路及加快封裝實為必要。
發明內容
一種太陽能電池裝置,包括基板、透明面板、多個第一太陽能電池單元、多個第二太陽能電池單元、第一電路層及第二電路層。各第一太陽能電池單元與各第二太陽能電池單元交替地設于該基板與透明面板之間且相互隔開。該第一電路層與第二電路層均設于該基板與透明面板之間,分別固定于該基板及該透明面板。該多個第一太陽能電池單元及多個第二太陽能電池單元通過該第一電路層及該第二電路層相互電氣連接。
相較于現有技術,本技術方案提供的太陽能電池裝置中第一電路層與第二電路層由各太陽能電池單元相互隔開,于封裝過程中難以相互接觸,由此避免短路。另,第一電路層及第二電路層呈層狀,將基板、第一電路層、太陽能電池單元、第二電路層及透明面板依次層疊封裝即可,可加快封裝。
附圖說明
圖1為本技術方案第一實施方式提供的太陽能電池裝置的示意圖。
圖2為本技術方案第二實施方式提供的太陽能電池裝置的示意圖。
圖3為本技術方案第三實施方式提供的太陽能電池裝置的示意圖。
圖4為本技術方案第四實施方式提供的太陽能電池裝置的示意圖。
主要元件符號說明
太陽能電池裝置????????????????100、200、300、400
基板??????????????????????????10、210、310、410
第一電路層????????????????????20、220、320、420
第一太陽能電池單元????????????30、230、330、430
第二太陽能電池單元????????????70、270、370、470
間隔體????????????????????????40、240、340、440
第二電路層????????????????????50、250、350、450
透明面板??????????????????????60、260、360、460
第一背電極????????????????????31、231
P型半導體層???????????????????32、72、232、272
P-N型半導體層?????????????????33、73、233、273
N型半導體層????????????34、74、234、274
第一前電極?????????????35、235
第二背電極?????????????71、271
第二前電極?????????????75、275
絕緣層?????????????????380
透光面?????????????????361、461
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于富士邁半導體精密工業(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司,未經富士邁半導體精密工業(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010185263.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種能量元件
- 下一篇:一種新型電動半門式起重機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





