[發明專利]一種用于微結構制造的全干法刻蝕硅溶片制備方法無效
| 申請號： | 201010185118.8 | 申請日： | 2010-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN101817497A | 公開（公告）日： | 2010-09-01 |
| 發明（設計）人： | 施志貴;席仕偉;張茜梅;劉娟;王亞軍 | 申請（專利權）人： | 中國工程物理研究院電子工程研究所 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中國工程物理研究院專利中心 51210 | 代理人： | 翟長明;韓志英 |
| 地址： | 621900 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 微結構 制造 全干法 刻蝕 硅溶片 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于微結構制造的全干法刻蝕硅溶片制備方法，依次包含以下加工步驟：
（a）玻璃電極制備
依次為硼硅玻璃（4）表面進行光刻、硼硅玻璃腐蝕、磁控濺射、用丙酮并輔助超聲波清洗去除光刻膠，獲得電極（5）；所述的磁控濺射是指在硼硅玻璃（4）表面由下至上依次磁控濺射總厚度為1500埃到2500埃的鈦、鉑、金層；
（b）硅臺階和微結構制備
依次為在SOI片的頂層硅（1）上光刻，并用ICP刻蝕出硅臺階（6），臺階高度2微米到5微米之間；用高溫擴散爐對硅臺階表面進行磷摻雜；在SOI的頂層硅（1）上光刻，并用ICP刻蝕出可動硅結構（7），直至SOI的二氧化硅埋層（2）；
（c）玻璃-硅靜電鍵合和硼硅玻璃劃槽
依次為硼硅玻璃（4）和SOI片靜電鍵合，其中電極（5）與硅臺階（6）鍵合；用砂輪劃片機將硼硅玻璃片（4）劃槽，深度300微米到350微米之間；
（d）硅溶片處理
依次用ICP去除襯底硅（3），用RIE去除二氧化硅埋層（2），將已有劃痕的硼硅玻璃-硅結構分割成管芯，器件成型。
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