[發明專利]有機發光裝置和制造該有機發光裝置的方法

無效

• 申請號: 201010185019.X
• 申請日: 2010-05-20
• 公開（公告）號: CN101894919A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 徐祥準;南基賢
• 申請（專利權）人: 三星移動顯示器株式會社
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;薛義丹

1.一種有機發光裝置，所述有機發光裝置包括：

基底；

有機發光單元，設置在基底上，有機發光單元包括第一電極、第二電極以及設置在第一電極和第二電極之間的有機層；

阻礙層，設置在基底上，用于覆蓋有機發光單元，阻礙層包括第一SiO層和設置在第一SiO層上的第一SiO_xN_y層，其中，x在0.1至1的范圍內，y在0.1至1的范圍內。

2.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，第一SiO_xN_y層的密度大于第一SiO層的密度。

3.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，第一SiO層的厚度在450nm至600nm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，第一SiO_xN_y層的厚度在0.5nm至5nm的范圍內。

5.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，阻礙層的厚度在1nm至1000nm的范圍內。

6.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，阻礙層的厚度在300nm至500nm的范圍內。

7.根據權利要求1所述的有機發光裝置，其中，阻礙層還包括：

第二SiO層，設置在第一SiO_xN_y層上；

第二SiO_xN_y層，設置在第二SiO層上。

8.一種制造有機發光裝置的方法，所述方法包括如下步驟：

在基底上形成有機發光單元，有機發光單元包括第一電極、第二電極以及設置在第一電極和第二電極之間的有機層；

在基底上形成第一SiO層；

在第一SiO層上形成第一SiO_xN_y層，以形成阻礙層，其中，x在0.1至1的范圍內，y在0.1至1的范圍內。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，SiO層通過熱沉積形成。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，SiO_xN_y層使用N₂等離子體處理來形成。

11.根據權利要求8所述的方法，所述方法還包括：

在第一SiO_xN_y層上形成第二SiO層；

在第二SiO層上形成第二SiO_xN_y層。

12.根據權利要求11所述的方法，其中：

在有機發光單元上直接設置第一SiO層；

在第一SiO層上直接設置第一SiO_xN_y層；

在第一SiO_xN_y層上直接設置第二SiO層；

在第二SiO層上直接設置第二SiO_xN_y層。

13.根據權利要求8所述的方法，其中，阻礙層完全覆蓋有機發光單元，有機發光單元直接設置在基底上。

14.一種有機發光裝置，所述有機發光裝置包括：

基底；

有機發光單元，設置在基底上；

阻礙層，設置在基底上，以防止濕氣接觸有機發光單元，阻礙層包括設置在有機發光單元上的第一SiO層和設置在第一SiO層上的第一SiO_xN_y層，

其中，x在0.1至1的范圍內，y在0.1至1的范圍內。

15.根據權利要求14所述的有機發光裝置，其中，阻礙層還包括：

第二SiO層，設置在第一SiO_xN_y層上；

第二SiO_xN_y層，設置在第二SiO層上。