[發(fā)明專利]三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010184792.4
• 申請日: 2010-05-27
• 公開（公告）號: CN102259832A
• 公開（公告）日: 2011-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱振東;李群慶;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底；

在該基底一表面形成掩膜層；

采用反應(yīng)性刻蝕氣氛對基底進行刻蝕同時對所述掩膜層進行裁剪，形成階梯狀結(jié)構(gòu)的三維納米結(jié)構(gòu)陣列；以及

去除掩膜層。

2.如權(quán)利要求1所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述在該基底表面形成掩膜層的方法為在基底表面形成單層納米微球，從而在納米微球?qū)?yīng)的位置制備得到階梯狀凸起結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述單層納米微球包括多個呈陣列排布的納米微球。

4.如權(quán)利要求3所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述單層納米微球包括多個呈六角密堆排布、等間距行列式排布或同心圓環(huán)排布的納米微球。

5.如權(quán)利要求2所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述在所述基底表面形成單層納米微球的方法為提拉法或旋涂法。

6.如權(quán)利要求2所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述在所述基底表面形成單層納米微球之前進一步包括一對基底進行親水處理的步驟。

7.如權(quán)利要求1所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述采用反應(yīng)性刻蝕氣氛對基底進行刻蝕的步驟在一微波等離子體系統(tǒng)中進行。

8.如權(quán)利要求7所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述微波等離子體系統(tǒng)的工作氣體包括氯氣和氬氣。

9.如權(quán)利要求8所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述氯氣的通入速率為10標(biāo)況毫升每分～60標(biāo)況毫升每分，所述氬氣的通入速率為4標(biāo)況毫升每分～20標(biāo)況毫升每分。

10.如權(quán)利要求8所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述工作氣體的氣壓為2帕～10帕。

11.如權(quán)利要求7所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述微波等離子體系統(tǒng)的功率為40瓦～70瓦。

12.如權(quán)利要求7所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述微波等離子體系統(tǒng)的功率與微波等離子體系統(tǒng)的工作氣體的氣壓的數(shù)值比小于20∶1。

13.如權(quán)利要求1所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述采用反應(yīng)性刻蝕氣氛對基底進行刻蝕的時間為1分鐘～2.5分鐘。

14.如權(quán)利要求1所述的三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其特征在于，所述在該基底表面形成掩膜層的方法為在基底表面形成具有多個開孔的連續(xù)膜，從而在開孔對應(yīng)的位置制備得到階梯狀凹陷結(jié)構(gòu)。

15.一種三維納米結(jié)構(gòu)陣列的制備方法，其包括以下步驟：

提供一基底；

對該基底進行親水處理；

在基底表面形成單層納米微球作為掩膜層；

采用反應(yīng)性刻蝕氣氛對基底進行刻蝕同時對所述掩膜層進行裁剪，形成階梯狀結(jié)構(gòu)的三維納米結(jié)構(gòu)陣列；以及

去除掩膜層。