[發明專利]制作半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201010184256.4
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN101901821A
• 公開（公告）日: 2010-12-01
• 發明（設計）人: 檜山晉
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 趙飛;南霆

1.一種制作半導體器件的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底中形成用于執行光電轉換的光接收部分；

形成絕緣膜，以覆蓋所述半導體襯底的光接收側；

形成金屬光屏蔽膜，以其一部分覆蓋所述絕緣膜的對應于所述光接收部分的部分；以及

通過利用微波照射所述金屬光屏蔽膜來對所述金屬光屏蔽膜進行加熱，以允許對所述絕緣膜中的具有所述金屬光屏蔽膜層壓的部分進行選擇性地退火處理。

2.根據權利要求1所述的用于制作半導體器件的方法，其中，

所述金屬光屏蔽膜由含有鎢、鋁、鈦、銅和鉭中的至少一種元素的金屬膜或其層壓膜構成。

3.根據權利要求1所述的用于制作半導體器件的方法，其中，

在處理溫度為250℃到500℃的范圍內執行所述退火處理。

4.根據權利要求1所述的用于制作半導體器件的方法，其中，

所述絕緣膜由具有作為微波吸收器的功能的材料制成。

5.根據權利要求1所述的用于制作半導體器件的方法，其中，

所述半導體襯底適合于構造這樣一種固態圖像傳感器件，在該固態圖像傳感器件中，所述半導體襯底在其一個表面側處形成有布線層并且其另一側作為所述光接收部分的光接收側。