[發明專利]盤驅動器撓曲件有效
| 申請號: | 201010183515.1 | 申請日: | 2010-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN101887731A | 公開(公告)日: | 2010-11-17 |
| 發明(設計)人: | 荒井肇 | 申請(專利權)人: | 日本發條株式會社 |
| 主分類號: | G11B5/48 | 分類號: | G11B5/48;G11B5/55;G11B5/56 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 顧峻峰;李丹丹 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動器 撓曲 | ||
發明背景
本發明涉及用在諸如個人電腦之類的信息處理裝置中盤驅動器中的撓曲件。
硬盤驅動器(HDD)用在諸如個人電腦之類的信息處理裝置中。硬盤驅動器包括可圍繞心軸旋轉的磁盤、可圍繞樞軸轉動的托架等。盤驅動器懸架設置在托架的臂上。
盤驅動器懸架包括基板和負載梁。撓曲件定位在負載梁上。浮塊安裝在形成在撓曲件遠端附近的萬向架部分上。浮塊設有用于訪問數據、即讀取或寫入數據的構件(換能器)。懸架、撓曲件等構成磁頭萬向節組件。
撓曲件是根據所要求的規格使用的各種可用類型中的任何一種。具有導體的撓曲件是一種已知的實例。具有導體的撓曲件包括由薄不銹鋼板制成的金屬基部、由諸如聚酰亞胺的電絕緣樹脂制成的樹脂層、多個銅導體等。樹脂層形成在金屬基部上。導體形成在樹脂層上。每個導體的一端連接到盤驅動器的放大器等上每個導體的另一端連接到浮塊的構件(例如MR構件)上。
期望撓曲件的導體電路部分的電阻減小而與放大器和浮塊的構件匹配并降低能耗。還期望降低電感。此外,對于較高的數據傳輸,需要即使在高頻帶內衰減也很低的那種特性(低衰減特性)。
具有包括多軌傳輸線的導體的撓曲件可有效地符合這些要求。設有多軌傳輸線的電路也稱為交錯電路。美國專利第5,717,547號中披露了具有交錯電路的撓曲件。該類型的撓曲件由于其在高頻時衰減低而適用于高速數據傳輸。
圖16示出常規交錯電路的實例。交錯電路包括第一至第四交錯導體201至204。第一和第二交錯導體201和202從第一導體構件211分叉。第三和第四交錯導體203和204從第二導體構件212分叉。
因此,第二和第四交錯導體202和204在交叉點220處三維地交叉。此外,第二和第三交錯導體202和203在交叉點221處三維地交叉。具有電絕緣涂層的連接線230和231用于防止交叉點220和221短路。
如果連接線230和231用于交叉點220和221,如圖16中現有技術實例中那樣,則它們不可避免地相對于交錯電路垂直突出,從而不能有利地減小交錯電路的厚度。而且,由于除了交錯導體201至204之外,還需要連接線230和231,所以,還有部件數量增加的問題。
其發明人進行了將高頻數據傳輸到圖16中所示交錯電路的測試。在該測試中,測量流過交錯導體201和202的相應中點m1和m2的電流波形的相應相位。因此,發現如圖17所示在當時波形W1和W2之間產生相當大的相位差和由交互作用等引起的性能變動。還發現,根據連接線230和231的安裝狀態,尤其是高頻衰減會很高,而阻礙高速數據傳輸。
發明內容
本發明提供一種盤驅動器撓曲件,該撓曲件具有諸如較低的高頻衰減之類的優良電特性,并構造成可防止交錯電路變厚。
本發明是一種盤驅動器懸架,其包括:金屬基部,該金屬基部由金屬板制成;電絕緣樹脂層,該電絕緣樹脂層形成在金屬基部上并包括與金屬基部接觸的第一表面和與金屬基部相對定位的第二表面;第一導體件,該第一導體件設置在樹脂層的第二表面上;以及第二導體件,該第二導體件平行于第一導體件設置在樹脂層的第二表面上。
第一導體件包括:放大器側第一導體,其連接到放大器;磁頭側第一導體,其連接到磁頭;第一交錯導體,其形成于放大器側第一導體與磁頭側第一導體之間,通過第一導體分支部分連接到放大器側第一導體,并通過第一導體連結部分連接到磁頭側第一導體;以及第二交錯導體,其平行于第一交錯導體延伸,并通過第一交錯連結部分與磁頭側第一導體連接。
第二導體件包括:放大器側第二導體,其連接到放大器;磁頭側第二導體,其連接到磁頭;第三交錯導體,其形成于放大器側第二導體與磁頭側第二導體之間,通過第二導體分支部分連接到放大器側第二導體,并通過第二導體連結部分連接到磁頭側第二導體;以及第四交錯導體,其位于第一交錯導體與第二交錯導體之間,并平行于第一交錯導體和第二交錯導體,并通過第二導體分支部分與放大器側第二導體連接。
本發明的撓曲件還包括:第一跨接導體,該第一跨接導體在樹脂層的第一表面上形成成與金屬基部平齊,并與金屬基部電絕緣,通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的第一端子與第一導體分支部分連接,并通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的第二端子與第二交錯導體連接;以及第二跨接導體,該第二跨接導體在樹脂層的第一表面上形成成與金屬基部平齊,并與金屬基部電絕緣,通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的第三端子與第二導體連結部分連接,并通過相對于樹脂層厚度方向穿透樹脂層的第四端子與第四交錯導體連接。第一跨接導體和第二跨接導體分別相對于沿每個交錯導體的接線方向延伸的軸線成小于45°的角。
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