[發明專利]一種半導體結型二極管器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010183446.4
• 申請日: 2010-05-19
• 公開（公告）號: CN102254818A
• 公開（公告）日: 2011-11-23
• 發明（設計）人: 梁擎擎;鐘匯才;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L21/28;H01L29/861;H01L29/417
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 馬佑平

1.一種半導體結型二極管器件結構的形成方法，所述方法包括：

A、提供半導體襯底；

B、在所述半導體襯底內形成具有第一類型摻雜的第一摻雜區；

C、直接覆蓋所述第一摻雜區所在的襯底以形成柵極，并在所述半導體襯底內形成PN結；

D、在所述柵極上形成第一接觸，以及在所述柵極兩側的半導體襯底上形成第二接觸，所述第一和第二接觸分別定義為二極管器件的兩極。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述柵極由半導體或半導體化合物材料形成。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述半導體或半導體化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、Si、金剛石及其組合。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟C包括：在所述第一摻雜區的半導體襯底上形成具有第一類型摻雜的柵極，以及在所述柵極兩側的半導體襯底內形成具有第二類型摻雜的第二摻雜區，以在所述襯底內的第一摻雜區與第二摻雜區間形成PN結。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二摻雜區由形成源/漏區和/或淺結區的摻雜形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述步驟C包括：在所述第一摻雜區的半導體襯底上形成具有第二類型摻雜的柵極，以在所述柵極與位于所述柵極下的第一摻雜區間形成PN結。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述步驟C還包括：在所述柵極兩側的半導體襯底內形成具有第一類型摻雜的第二摻雜區。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第二摻雜區由形成源/漏和/或淺結區的摻雜形成。

9.根據權利要求1所述的方法，在步驟C和步驟D之間還包括：在所述第二接觸與其下方的襯底之間以及第一接觸與柵極之間形成金屬硅化物層。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的方法，還包括在所述柵極上形成柵帽。

11.一種半導體結型二極管器件結構，所述器件結構包括：

半導體襯底；

形成于半導體襯底內的具有第一類型摻雜的第一摻雜區；

直接覆蓋所述第一摻雜區所在的襯底形成的柵極，以及在所述襯底內形成的PN結；

形成于所述柵極上的第一接觸，以及形成于所述柵極兩側的半導體襯底上的第二接觸，所述第一和第二接觸分別定義為二極管器件的兩極。

12.根據權利要求11所述的器件結構，其中所述柵極由半導體或半導體化合物材料形成。

13.根據權利要求12所述的器件結構，其中所述半導體或半導體化合物材料包括：Ge、GeSi、GaAs、InP、SiC、Si、金剛石及其組合。

14.根據權利要求11所述的器件結構，其中所述柵極具有第一類型摻雜。

15.根據權利要求14所述的器件結構，其中所述器件結構還包括位于柵極兩側的半導體襯底內的、具有第二類型摻雜的第二摻雜區，所述PN結由第二摻雜區與第一摻雜區形成。

16.根據權利要求11所述的器件結構，其中所述柵極具有第二類型摻雜。

17.根據權利要求16所述的器件結構，還包括形成于所述第二接觸下方的半導體襯底內、具有第一類型摻雜的第二摻雜區。

18.根據權利要求16所述的器件結構，其中所述PN結由所述柵極與和柵極交界的襯底處的第一摻雜區形成。