[發明專利]銅填充方法

有效

• 申請號: 201010183443.0
• 申請日: 2010-05-18
• 公開（公告）號: CN101892501A
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 近藤和夫;齊藤丈靖;岡本尚樹;文屋勝;竹內實
• 申請（專利權）人: 公立大學法人大阪府立大學;日東紡織株式會社
• 主分類號: C25D3/38
• 分類號: C25D3/38
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 熊玉蘭;高旭軼

1.填充銅的方法，該方法是在存在于基板上、具有5以上的縱橫比(深度/孔直徑)、且經過了導電處理的非貫穿孔中填充銅的方法，該方法包括用酸性鍍銅浴進行周期性電流反轉鍍銅以在非貫穿孔中填充銅，該酸性鍍銅浴含有水溶性銅鹽、硫酸、氯離子、增亮劑和二烯丙基胺與二氧化硫的共聚物，該共聚物含有下述通式(1)所示的二烯丙基胺結構單元：

其中各個R₁和R₂獨立地為氫原子或具有1個或2個碳原子的烷基，X^-為反荷離子；

和下式(II)所示的二氧化硫結構單元：

2.權利要求1所述的填充銅的方法，其中酸性鍍銅浴還含有載體。

3.權利要求1所述的填充銅的方法，其中基板是含有硅層的基板。

4.權利要求1或3所述的填充銅的方法，其中基板是預先進行了微接觸印刷處理的基板。

5.權利要求1～4中任意一項所述的填充銅的方法，其中周期性電流反轉鍍銅中正電解期間的電流密度為3.5mA/cm²以上。

6.權利要求5所述的填充銅的方法，其中周期性電流反轉鍍銅中逆電解期間的電流密度為正電解期間的電流密度的1～5倍。

7.權利要求1～6中任意一項所述的填充銅的方法，其中周期性電流反轉電鍍被設置為按正電解和逆電解的順序或者按正電解、逆電解和停頓的順序重復，正電解時間設定為1～1000msec，逆電解時間設定為正電解時間的1/100～1/5倍，停頓時間設定為正電解時間的0～3倍。