[發明專利]半導體納米柱陣列結構的制作方法無效
| 申請號： | 201010183395.5 | 申請日： | 2010-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN101870453A | 公開（公告）日： | 2010-10-27 |
| 發明（設計）人： | 白安琪;成步文;左玉華;王啟明 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 湯保平 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 納米 陣列 結構 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體納米柱陣列結構的制作方法，包括如下步驟：
步驟1：在一半導體襯底上生長鋁層；
步驟2：對鋁層進行陽極氧化，形成孔洞由表面直達半導體襯底，形成多孔氧化鋁膜；
步驟3：在多孔氧化鋁膜的表面淀積金屬，在多孔氧化鋁膜的孔洞內形成金屬點；
步驟4：將多孔氧化鋁膜濕法腐蝕掉，從而在半導體襯底上形成金屬點陣列；
步驟5：以金屬點陣列為掩膜對半導體襯底進行刻蝕，去掉金屬點陣列，在半導體襯底上形成半導體納米柱陣列。
2.根據權利要求1所述的半導體納米柱陣列結構的制作方法，其中鋁層的生長方法是采用電子束蒸發、熱蒸發或磁控濺射的方法。
3.根據權利要求1所述的半導體納米柱陣列結構的制作方法，其中在多孔氧化鋁膜孔中淀積金屬的方法是采用蒸發、濺射、化學氣相沉積、原子層沉積或化學鍍的方法。
4.根據權利要求1所述的半導體納米柱陣列結構的制作方法，其中在多孔氧化鋁膜的表面淀積的是金屬單質、合金或金屬化合物。
5.根據權利要求1所述的半導體納米柱陣列結構的制作方法，其中半導體襯底的材料是體材料，或是量子阱或超晶格多層結構材料。
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