[發(fā)明專利]制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010183370.5
• 申請(qǐng)日: 2010-05-19
• 公開（公告）號(hào): CN101866999A
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張曙光;尹志崗;張興旺;游經(jīng)碧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號(hào): H01L33/02
• 分類號(hào): H01L33/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，包括如下步驟：

1)在襯底上沉積p-GaN薄膜；

2)在p-GaN薄膜上生長(zhǎng)ZnO薄膜；

3)采用濕法腐蝕，將p-GaN薄膜上的ZnO薄膜的一側(cè)腐蝕掉，露出p-GaN薄膜，形成臺(tái)面；

4)在p-GaN薄膜的臺(tái)面上制作p型電極；

5)在ZnO薄膜上制作n型電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中襯底為Al₂O₃材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中p-GaN薄膜的空穴濃度為10¹⁷-10¹⁹/cm³，空穴遷移率為10-100cm²/V·s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中ZnO薄膜的沉積溫度為300-900℃，工作氣體為Ar，壓強(qiáng)為1.0Pa，生長(zhǎng)功率為80W，沉積時(shí)間為10-60min，ZnO薄膜的厚度為100-2000nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中ZnO薄膜的電子濃度為10¹⁷-10¹⁹/cm³，電子遷移率為5-100cm²/V·s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中p型電極的材料為NiAu，n型電極50為TiAu合金。

7.一種制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，包括如下步驟：

1)在襯底上沉積p-GaN薄膜；

2)在p-GaN薄膜上生長(zhǎng)AlN層；

3)在p-GaN薄膜上生長(zhǎng)ZnO薄膜；

4)采用濕法腐蝕，將p-GaN薄膜上的AlN層和ZnO薄膜的一側(cè)腐蝕掉，露出p-GaN薄膜，形成臺(tái)面；

5)在p-GaN薄膜的臺(tái)面上制作p型電極；

6)在ZnO薄膜上制作n型電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中襯底為Al₂O₃材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中p-GaN薄膜的空穴濃度為10¹⁷-10¹⁹/cm³，空穴遷移率為10-100cm²/V·s。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中ZnO薄膜的沉積溫度為300-900℃，工作氣體為Ar，壓強(qiáng)為1.0Pa，生長(zhǎng)功率為80W，沉積時(shí)間為10-60min，ZnO薄膜的厚度為100-2000nm。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中ZnO薄膜的電子濃度為10¹⁷-10¹⁹/cm³，電子遷移率為5-100cm²/V·s。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中p型電極的材料為NiAu，型電極為TiAu合金。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中沉積AlN層的溫度為400-1000℃，工作氣體為Ar和N₂的混合氣體，生長(zhǎng)室內(nèi)壓強(qiáng)為1.0Pa，長(zhǎng)功率為80W，沉積時(shí)間為5-12min。

14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制作ZnO基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的方法，其中AlN層的厚度為5-50nm。